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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-10-25 15:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 ○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ）  ED2016-47 |
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] | ED2016-47 pp.17-20 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 11:41 |
富山 | 富山大学 | CuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を用いた電流注入型EL素子の検討 ○足立尚義・林 翔太（鳥取大）・石垣 雅（TiFREC）・大観光徳（鳥取大） EID2015-42 |
石英基板およびZnO基板、SiO2付ITO基板、熱酸化膜付Siウエハ、Siウエハ上にCuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を... [more] | EID2015-42 pp.125-128 |
| ED | 2010-10-25 13:25 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性 ○後藤康仁・遠藤恵介・辻 博司（京大）・石川順三（中部大）・酒井滋樹（日新イオン機器） ED2010-129 |
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] | ED2010-129 pp.7-10 |
| ED | 2006-08-03 13:00 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | エージングによる印刷型カーボンナノチューブエミッターの発光均一性と寿命特性の改善 ○河合秀泰・藤井俊治郎・石田憲弘・町田博宣・尾浦憲治郎・本多信一・片山光浩（阪大） |
スクリーン印刷法で作製したカーボンナノチューブ（CNT）エミッターのエージング効果について調べた． DC電界下，20 m... [more] | ED2006-117 pp.1-4 |
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