お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2015-07-25
11:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
竹鶴達哉藤川紗千恵原田義彬鈴木浩基磯野恭佑加藤三四郎辻 大介藤代博記東京理科大ED2015-45
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] ED2015-45
pp.45-49
EMD 2014-12-19
14:55
東京 機械振興会館 微摺動機構およびハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ~ 微摺動に衝撃加振を加えることの効果 ~
和田真一・○岩本紘樹越田圭治久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2014-97
著者らは,鉛直方向のハンマリング加振によって,電気接点に,繰り返し過渡的外力を与えることのできるシステム(ハンマリング加... [more] EMD2014-97
pp.13-18
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都 京都大学 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl... [more] EID2014-14 SDM2014-109
pp.7-11
OFT, OCS
(併催)
2013-08-22
14:50
北海道 北海道大学 極低損失、高FOMを有する長距離伝送用光ファイバ
春名徹也平野正晃田村欣章河野健彦大貫 聡山本義典小谷野裕史佐々木 隆住友電工OCS2013-38
海底通信分野に代表される長距離通信では、デジタルコヒーレント技術を活用したファイバ1本あたり10Tb/s以上の大容量伝送... [more] OCS2013-38
pp.11-16
EMCJ, EMD
(共催)
2013-07-12
10:35
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(28) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリン久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMCJ2013-39 EMD2013-24
著者らは,ハンマリング加振機構によって,電気接点に実際の環境と類似した振動を加えることのできる機構を設計・開発し,さらに... [more] EMCJ2013-39 EMD2013-24
pp.1-6
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
14:40
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(27) ~
和田真一越田圭治益田直樹柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電... [more] EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
pp.55-60
EMD 2012-12-21
15:45
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討 (26) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリンTMCシステム)・益田直樹東京高専)・柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・寺崎真志東京高専)・澤 孝一郎日本工大EMD2012-95
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電... [more] EMD2012-95
pp.27-32
SDM 2011-12-16
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2011-146
強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによ... [more] SDM2011-146
pp.77-82
ED 2011-12-14
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] ED2011-101
pp.7-12
SDM 2010-12-17
10:00
京都 京都大学(桂) MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
吉岡裕典森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2010-185
18 nmから4 nmの断面サイズ(断面積の平方根)の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] SDM2010-185
pp.1-6
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Theoretical study on graphene field-effect transistors
Eiichi SanoHokkaido Univ./JST)・Taiichi OtsujiTohoku Univ../JSTED2009-62 SDM2009-57
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ... [more] ED2009-62 SDM2009-57
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:50
北海道 北海道大学 シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果
鄭 然周Chen Jiezhi更屋拓哉平本俊郎東大ED2008-234 SDM2008-226
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] ED2008-234 SDM2008-226
pp.59-62
SDM [詳細] 2008-11-14
16:40
東京 機械振興会館 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析
前川忠史山内恒毅原 孟史土屋英昭小川真人神戸大SDM2008-183
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] SDM2008-183
pp.83-88
SDM 2008-06-09
15:50
東京 東京大学(生産研 An棟) Si反転層中のホールサブバンド分散
武田さくら森田 誠大杉拓也谷川洋平大門 寛奈良先端大SDM2008-44
CMOSchannel 中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電
子やホールの... [more]
SDM2008-44
pp.13-16
SDM 2008-06-09
16:50
東京 東京大学(生産研 An棟) シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
齋藤真澄小林茂樹内田 建東芝SDM2008-46
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] SDM2008-46
pp.23-27
OME 2007-05-18
13:25
東京 電気倶楽部 ペンタセンTFT の結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源
大橋 昇冨井 弘松原亮介中村雅一酒井正俊工藤一浩千葉大OME2007-10
多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分... [more] OME2007-10
pp.5-9
OME, EID
(共催)
2007-03-05
13:25
東京 機械振興会館 ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ~ ホール輸送障壁と結晶内有効質量 ~
松原亮介中村雅一工藤一浩千葉大
有機TFTの特性は電極に起因する様々な影響によって制限される。これに対し我々は、電極の影響を取り除き、材料の真の移動度を... [more] OME2006-133 EID2006-90
pp.7-11
 17件中 1~17件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会