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次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
2015-07-25
11:05
石川
ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
○
竹鶴達哉
・
藤川紗千恵
・
原田義彬
・
鈴木浩基
・
磯野恭佑
・
加藤三四郎
・
辻 大介
・
藤代博記
(
東京理科大
)
ED2015-45
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ...
[more]
ED2015-45
pp.45-49
EMD
2014-12-19
14:55
東京
機械振興会館
微摺動機構およびハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ~ 微摺動に衝撃加振を加えることの効果 ~
和田真一
・○
岩本紘樹
・
越田圭治
・
久保田洋彰
(
TMCシステム
)・
澤 孝一郎
(
日本工大
)
EMD2014-97
著者らは,鉛直方向のハンマリング加振によって,電気接点に,繰り返し過渡的外力を与えることのできるシステム(ハンマリング加...
[more]
EMD2014-97
pp.13-18
SDM
,
EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都
京都大学
pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
○
藤原寛朗
・
森岡直也
・
田中 一
・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl...
[more]
EID2014-14
SDM2014-109
pp.7-11
OFT
,
OCS
(併催)
2013-08-22
14:50
北海道
北海道大学
極低損失、高FOMを有する長距離伝送用光ファイバ
○
春名徹也
・
平野正晃
・
田村欣章
・
河野健彦
・
大貫 聡
・
山本義典
・
小谷野裕史
・
佐々木 隆
(
住友電工
)
OCS2013-38
海底通信分野に代表される長距離通信では、デジタルコヒーレント技術を活用したファイバ1本あたり10Tb/s以上の大容量伝送...
[more]
OCS2013-38
pp.11-16
EMCJ
,
EMD
(共催)
2013-07-12
10:35
東京
機械振興会館
ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(28) ~
○
和田真一
・
越田圭治
・
サインダー ノロブリン
・
久保田洋彰
(
TMCシステム
)・
澤 孝一郎
(
日本工大
)
EMCJ2013-39 EMD2013-24
著者らは,ハンマリング加振機構によって,電気接点に実際の環境と類似した振動を加えることのできる機構を設計・開発し,さらに...
[more]
EMCJ2013-39
EMD2013-24
pp.1-6
EMD
,
CPM
,
OME
(共催)
2013-06-21
14:40
東京
機械振興会館
ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(27) ~
○
和田真一
・
越田圭治
・
益田直樹
・
柳 国男
・
久保田洋彰
(
TMCシステム
)・
澤 孝一郎
(
日本工大
)
EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電...
[more]
EMD2013-17
CPM2013-32
OME2013-40
pp.55-60
EMD
2012-12-21
15:45
東京
機械振興会館
ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討 (26) ~
○
和田真一
・
越田圭治
・
サインダー ノロブリン
(
TMCシステム
)・
益田直樹
(
東京高専
)・
柳 国男
・
久保田洋彰
(
TMCシステム
)・
寺崎真志
(
東京高専
)・
澤 孝一郎
(
日本工大
)
EMD2012-95
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電...
[more]
EMD2012-95
pp.27-32
SDM
2011-12-16
16:20
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
○
森 誠悟
・
森岡直也
・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
SDM2011-146
強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによ...
[more]
SDM2011-146
pp.77-82
ED
2011-12-14
13:40
宮城
東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟
InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI...
[more]
ED2011-101
pp.7-12
SDM
2010-12-17
10:00
京都
京都大学(桂)
MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
○
吉岡裕典
・
森岡直也
・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
SDM2010-185
18 nmから4 nmの断面サイズ(断面積の平方根)の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した...
[more]
SDM2010-185
pp.1-6
SDM
,
ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外
海雲台グランドホテル(釜山、韓国)
[招待講演]Theoretical study on graphene field-effect transistors
○
Eiichi Sano
(
Hokkaido Univ./JST
)・
Taiichi Otsuji
(
Tohoku Univ../JST
)
ED2009-62 SDM2009-57
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ...
[more]
ED2009-62
SDM2009-57
pp.53-58
SDM
,
ED
(共催)
2009-02-27
09:50
北海道
北海道大学
シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果
○
鄭 然周
・
Chen Jiezhi
・
更屋拓哉
・
平本俊郎
(
東大
)
ED2008-234 SDM2008-226
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告...
[more]
ED2008-234
SDM2008-226
pp.59-62
SDM
[詳細]
2008-11-14
16:40
東京
機械振興会館
第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析
○
前川忠史
・
山内恒毅
・
原 孟史
・
土屋英昭
・
小川真人
(
神戸大
)
SDM2008-183
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の...
[more]
SDM2008-183
pp.83-88
SDM
2008-06-09
15:50
東京
東京大学(生産研 An棟)
Si反転層中のホールサブバンド分散
○
武田さくら
・
森田 誠
・
大杉拓也
・
谷川洋平
・
大門 寛
(
奈良先端大
)
SDM2008-44
CMOSchannel 中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電
子やホールの...
[more]
SDM2008-44
pp.13-16
SDM
2008-06-09
16:50
東京
東京大学(生産研 An棟)
シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
○
齋藤真澄
・
小林茂樹
・
内田 建
(
東芝
)
SDM2008-46
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な...
[more]
SDM2008-46
pp.23-27
OME
2007-05-18
13:25
東京
電気倶楽部
ペンタセンTFT の結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源
○
大橋 昇
・
冨井 弘
・
松原亮介
・
中村雅一
・
酒井正俊
・
工藤一浩
(
千葉大
)
OME2007-10
多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分...
[more]
OME2007-10
pp.5-9
OME
,
EID
(共催)
2007-03-05
13:25
東京
機械振興会館
ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ~ ホール輸送障壁と結晶内有効質量 ~
○
松原亮介
・
中村雅一
・
工藤一浩
(
千葉大
)
有機TFTの特性は電極に起因する様々な影響によって制限される。これに対し我々は、電極の影響を取り除き、材料の真の移動度を...
[more]
OME2006-133
EID2006-90
pp.7-11
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