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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大）  ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ12... [more] | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 pp.91-94 |
| LQE | 2017-12-15 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs Hideki Hirayama・○Masafumi Jo・Noritoshi Maeda（RIKEN）・Yukio Kashima（Marubun） LQE2017-91 |
[more] | LQE2017-91 pp.21-26 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| OME, EMD, CPM (共催) |
2014-06-20 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布 ○中村友紀・石塚侑己・山口直也・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] | EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24 pp.43-48 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| CPM | 2013-08-02 10:00 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 山口直也・竹内智彦・中村友紀・大橋優樹・永富瑛智・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） CPM2013-49 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギ... [more] | CPM2013-49 pp.51-56 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大） ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] | ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 12:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 ○藤倉序章・大島祐一・吉田丈洋・目黒 健・斉藤俊也（日立電線） ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 |
我々の開発したボイド形成剥離法（Void-Assisted Separation; VAS法）において、GaN自立基板成... [more] | ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 pp.19-24 |
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