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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RCS, SR, NS, SeMI, RCC
(併催)
2021-07-14
10:30
ONLINE オンライン開催 深層展開による拡散LMSアルゴリズムのエッジ重みとステップサイズの最適化に関する検討
西畑友登石井光治香川大RCC2021-22
本研究では,センサネットワークにおける分散信号処理の高速化を目的とし,データ駆動型パラメータ設計を提案する.分散信号処理... [more] RCC2021-22
pp.1-6
R 2020-10-16
13:00
ONLINE オンライン開催 ビックデータからの外的要因を考慮した大規模OSS開発工数管理のための一般化ジャンプ拡散過程モデル
東久保 駿田村慶信東京都市大)・山田 茂鳥取大R2020-19
ソフトウェアサービスの現状としては,オープンソースソフトウェア(Open Source Software 以下 OSSと... [more] R2020-19
pp.1-6
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル
保坂 巧埼玉大)・西澤真一福岡大)・岸田 亮東京理科大)・松本高士東大)・小林和淑京都工繊大VLD2019-35 DC2019-59
本論文ではコンパクトな負バイアス温度不安定性(NBTI)モデルを提案する.提案モデルは反応拡散(tn)およびホールトラッ... [more] VLD2019-35 DC2019-59
pp.57-62
IA, IN
(併催)
2018-12-14
09:45
広島 広島大学 東千田未来創生センター キーワード検索で収集されるTwitterデータの特徴とTwitter上の情報拡散過程
塩田茂雄南川雅人中島圭佑千葉大IN2018-64
本稿では,Twitter APIを通してキーワード検索により収集したツイートデータを分析し,(1)現実の事象に関するキー... [more] IN2018-64
pp.31-36
SDM 2017-11-09
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル
植松真司慶大SDM2017-64
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC(炭化ケイ素)における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] SDM2017-64
pp.15-20
SDM 2017-10-25
16:00
宮城 東北大学未来研 塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術
木下哲郎真下峻一大橋卓矢澤田佳宏木下洋平藤村悟史TOKSDM2017-53
基板種によらないウェハ上の立体構造に対してコンフォーマルに、数ナノメートル膜厚の被膜を形成できる塗布材料を開発した。本研... [more] SDM2017-53
pp.21-24
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
SDM 2016-10-26
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御
嵯峨幸一郎ソニーSDM2016-69
半導体デバイスの多様化にともない、DRAMトレンチキャパシタ、CMOSイメージセンサ、高耐圧トランジスタなどSi基板の深... [more] SDM2016-69
pp.1-8
NLP 2016-09-14
10:30
兵庫 甲南大学 リンク機構のカオスの統計力学的解析
明石望洋宮崎修次京大NLP2016-44
アノソフ系の物理モデルとしてのトリプルリンケージの運動は,理想的には,シュヴァルツのP
曲面上の不規則な軌道で表される... [more]
NLP2016-44
pp.1-4
SDM 2015-11-05
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]半導体における不純物拡散モデリングの現状
植松真司慶大SDM2015-84
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] SDM2015-84
pp.1-6
NC, MBE
(共催)
2015-03-17
13:25
東京 玉川大学 マルコフ確率場モデルのハイパーパラメータ推定に対するダウンサンプリングの影響
坂本浩隆東大)・中西(大野) 義典東大/学振)・岡田真人東大/理研MBE2014-174 NC2014-125
画像データからその潜在変数を推定するときに,ダウンサンプリングが与える影響について調べる.画像データは,空間的に連続的な... [more] MBE2014-174 NC2014-125
pp.325-330
IA 2014-11-06
17:30
海外 タイ・チェンマイ Development of Interpreting System for Antimicrobial Susceptibility Testing by the Disc Diffusion Technique
Chaowarit OngkumChiang Mai Univ.IA2014-60
The purpose of this Development of Interpreting System for A... [more] IA2014-60
pp.139-141
RCS, SIP
(共催)
2014-01-23
13:25
福岡 九州大学 Shock FilerとNon-Local Meansを用いた画像超解像
吉田太一池原雅章慶大SIP2013-101 RCS2013-271
本報告では,ショックフィルタとNon-Local Meansを用いた画像超解像を提案する.
画像拡大と異なり,画像超解... [more]
SIP2013-101 RCS2013-271
pp.95-99
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
NLP 2013-10-29
11:15
香川 サンポートホール高松 [招待講演]トラフィックダイナミクスに基づくネットワーク自己組織化
青木高明香川大NLP2013-97
ネットワークを介した物質や情報・ヒトなどの流れを理解することは,大規模ネットワークシステムの設計・運用のため不可欠である... [more] NLP2013-97
pp.143-146
SIS, IPSJ-AVM
(連催)
2013-09-13
10:55
東京 早稲田大学早稲田キャンパス 組織的ブロック拡散とDCTを用いた高耐性電子透かし
大関和夫坂内一貴魏 遠玉平川 豊芝浦工大)・佐藤清次産技短大SIS2013-24
セキュリティの要素として電子透かしが取り入れられている.筆者らは縮小したブロックで透かしを埋込み後,ブロックを拡大した値... [more] SIS2013-24
pp.65-70
NS, CS, IN
(併催)
2013-09-12
10:45
宮城 東北大学 電気通信研究所 2号館 断続的なTCP通信のためのTCPスループット予測モデル
吉田裕志NEC/東工大)・里田浩三NEC)・村瀬 勉東工大/NECIN2013-59
インターネットや移動網を経由してクラウドサービスを利用する際,クロストラヒックや電波干渉など様々な外乱に起因するTCPス... [more] IN2013-59
pp.7-12
IMQ 2013-05-17
13:55
東京 成蹊大学 HDR画像低bit量子化のための階調性能改善
清水健史相良直哉杉山賢二成蹊大IMQ2013-2
HDR(High Dynamic Range)画像は、1画素16 bit程度で符号化される必要があるが、各画素が8 bi... [more] IMQ2013-2
pp.7-12
QIT
(第二種研究会)
2012-11-27
- 2012-11-28
神奈川 慶応大学 日吉キャンパス [ポスター講演]Phase diffusion between split atomic Bose-Einstein condensate (BEC)
Ebubechukwu Ilo-OkekeNII)・Alex ZozulyaWorcester Polytech. Inst.)・Tim ByrnesNII
We analyse an interferometric experiment where a cloud of BE... [more]
SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-48
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
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