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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-11-19
14:10
ONLINE オンライン開催 [招待講演]第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル
野田祐輔金沢学院大SDM2020-25
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] SDM2020-25
pp.15-20
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:00
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察
岡田健治パナソニック・タワージャズセミコンダクターR2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
pp.29-34
SCE 2015-10-09
10:20
宮城 東北大 ボロメーター/カロリメータとしての誘電体を用いたGHz共振回路
中山貴博菊地貴大星野全俊山崎典子満田和久JAXASCE2015-31
宇宙の高エネルギー現象の解明において、X線検出器のエネルギー分解能や角度分解能を向上させることは重要である。そこで我々は... [more] SCE2015-31
pp.61-65
SDM 2014-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2014-43
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness:... [more] SDM2014-43
pp.1-5
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
SDM 2012-06-21
11:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
細井卓治大嶽祐輝有村拓晃力石薫介北野尚武志村考功渡部平司阪大SDM2012-51
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として,実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる.TiN/... [more] SDM2012-51
pp.43-46
OME 2012-05-24
15:15
東京 NTT武蔵野研究開発センター [招待講演]印刷電子デバイス作製のための電極・配線形成技術 ~ 印刷RFIDタグ実現のための課題 ~
吉田 学産総研OME2012-26
フレキシブルエレクトロニクスを利用した商品イメージの代表的なものとして、印刷により作製したRFIDタグがあげられる。RF... [more] OME2012-26
pp.35-40
SDM 2011-07-04
15:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制
大嶽祐輝有村拓晃佐伯雅之力石薫介北野尚武細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2011-65
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] SDM2011-65
pp.87-92
SDM 2010-11-11
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大SDM2010-175
p型電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは,電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず,ソース/ドレイン活性化アニー... [more] SDM2010-175
pp.23-28
MW 2010-09-10
13:00
東京 東京工業大学 境界面が時間的に移動するFDTD解析の考察
岡 大介松永真由美愛媛大)・松永利明福岡工大MW2010-82
本論文では、解析空間中の誘電体境界が時間的に移動する場合のFDTD解析手法の
提案に向けての一考察を紹介する。BAN(... [more]
MW2010-82
pp.85-88
OPE, EMT, MW
(共催)
2009-07-30
14:30
北海道 旭川市民文化会館 FETD法による二次元導波管の数値解析
平良賢剛琉球大)・藤野清次九大MW2009-53 OPE2009-53
FETD法(時間領域有限要素法)により,二次元金属導波管内の電磁波伝搬の数値解析を行った.マクスウェル方程式の各スカラー... [more] MW2009-53 OPE2009-53
pp.127-132
SDM 2009-06-19
15:10
東京 東京大学(生産研An棟) 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズSDM2009-38
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] SDM2009-38
pp.67-70
SDM 2008-06-10
09:55
東京 東京大学(生産研 An棟) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構SDM2008-49
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] SDM2008-49
pp.41-46
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
16:10
大阪 中央電気倶楽部 Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル
鈴村直仁山本茂久真壁一也小笠原 誠小守純子村上英一ルネサステクノロジR2007-53 ED2007-186 SDM2007-221
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊(Time-Dependent Dielectric Breakdow... [more] R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221
pp.39-44
SDM 2006-06-22
11:20
広島 広島大学, 学士会館 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響
三谷祐一郎佐竹秀喜東芝
極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっ... [more] SDM2006-57
pp.87-92
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