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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SSS 2019-09-24
13:00
東京 機械振興会館 レーザ焼結によるAM造形物の絶縁破壊特性の解析
新井宏章山内友貴上野武司都立産技研センターSSS2019-17
AM(3Dプリンタ)は複雑形状の部品を容易に設計・試作可能であり,様々な分野で活用されている.近年,試作だけでなく実用部... [more] SSS2019-17
pp.1-4
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:00
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察
岡田健治パナソニック・タワージャズセミコンダクターR2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
pp.29-34
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-29
09:55
高知 高知工科大学 研究教育棟B 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
松田時宜古田 守平松孝浩古田 寛平尾 孝高知工科大EID2010-35
薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶... [more] EID2010-35
pp.87-90
SDM 2010-02-05
16:45
東京 機械振興会館 Cu/Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価
山口敦子龍崎大介武田健一日立)・川田洋揮日立ハイテクノロジーズSDM2009-192
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-... [more] SDM2009-192
pp.59-63
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
16:10
大阪 中央電気倶楽部 Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル
鈴村直仁山本茂久真壁一也小笠原 誠小守純子村上英一ルネサステクノロジR2007-53 ED2007-186 SDM2007-221
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊(Time-Dependent Dielectric Breakdow... [more] R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221
pp.39-44
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