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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2023-08-01 10:40 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
金属／GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次（福井大）  CPM2023-21 |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属／GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] | CPM2023-21 pp.36-39 |
| PRMU, IBISML (共催) IPSJ-CVIM (連催) [詳細] |
2023-03-03 17:00 |
北海道 | はこだて未来大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
半導体ウエハ不良パターン分類のためのExplainable Deep Clustering ○岡崎佑樹・高橋裕樹（電通大） PRMU2022-115 IBISML2022-122 |
半導体ウエハ製造時に発生する特定の不良パターンを分類，解析することは，不良発生工程や原因の特定に繋がる．近年，クラスタリ... [more] | PRMU2022-115 IBISML2022-122 pp.299-304 |
| SS, KBSE (共催) IPSJ-SE (連催) [詳細] |
2022-07-28 13:30 |
北海道 | 北海道自治労会館（札幌） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GAベースの自動プログラム修正における出力プログラムの調査 ○原田和音・丸山勝久（立命館大） SS2022-1 KBSE2022-11 |
ソフトウェア開発において，デバッグ作業は大きな負担であるため，自動プログラム修正技術の研究が盛んに行われている．しかしな... [more] | SS2022-1 KBSE2022-11 pp.1-6 |
| ICTSSL, CAS (共催) |
2022-01-20 09:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 塗装不良における深層学習を用いた二段階分類法の検討 ○安達和音・名取隆廣・相川直幸（東京理科大） CAS2021-51 ICTSSL2021-28 |
近年，深層学習を用いた不良の検出や分類の検査手法が提案されている．本稿では，様々な塗装不良を分類するために，深層学習を用... [more] | CAS2021-51 ICTSSL2021-28 pp.1-5 |
| IN, CCS (併催) |
2018-08-02 09:00 |
北海道 | きたゆざわ 森のソラニワ | リキッドステートマシンの構造欠損による弁別能力の低下を抑制する構造的特性に関する考察 ○奥村祐太・若宮直紀（阪大） CCS2018-27 |
近年の計測技術の発展により，コネクトームと呼ばれる，脳の機能的，構造的なネットワークがスケールフ リー性やモジュー... [more] | CCS2018-27 pp.9-12 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大） ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| DC | 2018-02-20 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | メモリベース再構成デバイスMRLDにおけるブリッジ接続故障のテスト方法 ○王 森レイ・小川達也・樋上喜信・高橋 寛（愛媛大）・佐藤正幸・勝 満徳（TRL）・関口象一（太陽誘電） DC2017-87 |
MRLD とは、メモリ機能も備える新しい再構成可能論理デバイスである。MRLD の基本要素となるMLUT（Multipl... [more] | DC2017-87 pp.61-66 |
| SDM | 2017-11-09 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大） SDM2017-64 |
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC（炭化ケイ素）における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] | SDM2017-64 pp.15-20 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-25 14:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12 |
AlOxは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり、化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴... [more] | ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12 pp.17-22 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 渡辺時暢（静岡大/富山大）・堀 匡寛・○小野行徳（静岡大） ED2016-131 SDM2016-148 |
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] | ED2016-131 SDM2016-148 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| SDM | 2015-11-05 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 ○植松真司（慶大） SDM2015-84 |
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] | SDM2015-84 pp.1-6 |
| SDM | 2015-06-19 14:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-50 |
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] | SDM2015-50 pp.63-68 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 ○竹内和歌奈・田岡紀之・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] | ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 pp.113-118 |
| SS | 2013-05-10 11:15 |
香川 | 香川大学（幸町） | Influence of Organizational Change on Product Metrics and Defects ○Seiji Sato・Hironori Washizaki・Yoshiaki Fukazawa（Waseda Univ.）・Sakae Inoue・Hiroyuki Ono・Yoshiiku Hanai・Mikihiko Yamamoto（Fujitsu） SS2013-11 |
In software development, the development organization someti... [more] | SS2013-11 pp.61-66 |
| SDM | 2012-10-25 16:35 |
宮城 | 東北大学未来研 | 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 ○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一（京大） |
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは，MOSFET劣化の要因として問題となって... [more] | |
| ED | 2012-07-26 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大） ED2012-45 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] | ED2012-45 pp.21-24 |
| ED | 2012-07-26 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大） ED2012-46 |
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] | ED2012-46 pp.25-30 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
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