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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2021-03-01 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］鉛フリー錫系ペロブスカイト太陽電池の研究開発動向 ○早瀬修二（電通大）  OME2020-19 |
鉛イオンを含むペロブスカイト層を光吸収層として用いる太陽電池の公認効率は25.5%に達し、単結晶シリコン太陽電池の26.... [more] | OME2020-19 pp.1-3 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 17:05 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 ○古田 守・ジャン ジンシン・辰岡玄悟・王 大鵬（高知工科大） SDM2015-8 OME2015-8 |
本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響... [more] | SDM2015-8 OME2015-8 pp.31-34 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
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