| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:00 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2019-41 ICD2019-6 |
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した．65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] | SDM2019-41 ICD2019-6 pp.27-30 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］抵抗変化型メモリ(ReRAM)のデータ保持特性の解析 ○山沢裕紀（中大）・田中丸周平（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2013-114 |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、高い耐久性かつ低消費電力、高速な読み書きが可能なため次世... [more] | ICD2013-114 p.37 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］NANDフラッシュメモリの信頼性の評価 ○北村雄太（中大）・田中丸周平（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2013-117 |
NANDフラッシュメモリは高電圧を利用してfloating gate (FG)に電子を注入・注出することでメモリとして動... [more] | ICD2013-117 p.43 |
| ICD | 2011-04-19 15:00 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 ○鶴田茂之・木下健太郎・中林竜也・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-17 |
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるCB-RAM (Conducting Bridge Random ... [more] | ICD2011-17 pp.93-97 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]