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 64件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
09:40
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
古賀泰志郎永野貴弥茂藤健太山本圭介・○佐道泰造九大SDM2023-7 OME2023-7
高性能システムインディスプレイの実現には,高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である.このためSiより高いキャリア... [more] SDM2023-7 OME2023-7
pp.27-29
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
13:35
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]エキシマレーザアニールによるSi薄膜の結晶化技術 ~ 温故知新になる事を期待して ~
栗山博之高砂熱学SDM2023-13 OME2023-13
エキシマレーザによるSi薄膜の結晶化技術はスマートフォン等に用いられている低温ポリシリコン(LTPS)液晶ディスプレイの... [more] SDM2023-13 OME2023-13
pp.48-51
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
15:00
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長
角田 功高倉健一郎熊本高専SDM2023-15 OME2023-15
本研究室では,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している.金属誘起横方向成長は,金属材料を非... [more] SDM2023-15 OME2023-15
pp.55-58
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
10:20
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価
森本敦己阿部陸斗平井杏奈平井杜和高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2022-10 OME2022-10
近年,IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている.しかし,この手... [more] SDM2022-10 OME2022-10
pp.47-50
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
15:10
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用
都甲 薫筑波大SDM2021-4 OME2021-4
 [more] SDM2021-4 OME2021-4
pp.15-18
OME, IEE-DEI
(連催)
2021-03-01
16:30
ONLINE オンライン開催 結晶化した低分子型有機薄膜太陽電池の暗電流のダイオード解析
嘉治寿彦榎戸風花森 承宇余語正輝阿部優樹片山美樹雅東京農工大OME2020-25
共蒸発分子誘起結晶化法で結晶化した様々な有機薄膜太陽電池、例えば、超厚膜の低分子型有機薄膜太陽電池や低ドナー濃度型の有機... [more] OME2020-25
pp.26-27
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
15:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用
都甲 薫筑波大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:00
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
Muhammad Arif RazaliNobuo SasakiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAIST
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ
内海大樹東北学院大)・北原邦紀塚田真也島根大)・鈴木仁志原 明人東北学院大EID2018-4 SDM2018-77
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] EID2018-4 SDM2018-77
pp.1-4
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
13:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ)
秋田佳輝松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2018-5 SDM2018-78
本研究では,Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した.FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶... [more] EID2018-5 SDM2018-78
pp.17-20
SDM 2018-10-17
16:35
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ
畑山祥吾須藤祐司安藤大輔小池淳一東北大SDM2018-56
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] SDM2018-56
pp.21-26
SAT, WBS
(併催)
2018-05-25
11:05
鹿児島 鹿児島大学 [招待講演]超音波と化学をつなぐソノケミストリー
二井 晋鹿児島大SAT2018-8
イルカやコウモリは空間中の物体を認識するために超音波を使っている。我々人間も超音波の波動としての性質をセンシング、モータ... [more] SAT2018-8
pp.37-40
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:30
京都 京都大学 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大EID2017-24 SDM2017-85
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] EID2017-24 SDM2017-85
pp.67-70
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長
草野欽太工藤和樹塘内功大坂口大成茂籐健太熊本高専)・本山慎一楠田 豊古田真浩サムコ)・中 庸行沼田朋子堀場製作所)・高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2016-8 OME2016-8
シートコンピュータ等への応用を目指し,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した.非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] SDM2016-8 OME2016-8
pp.31-34
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
11:15
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT
仁部翔太・○大澤弘樹原 明人東北学院大SDM2016-15 OME2016-15
低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長(Ni-SPC)に注目し、 更にデバイス高性能... [more] SDM2016-15 OME2016-15
pp.61-65
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:00
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール [招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
黒澤昌志竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-9 OME2015-9
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格... [more] SDM2015-9 OME2015-9
pp.35-37
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:40
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長
松村 亮九大/学振)・知北大典甲斐友樹佐々木雅也佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2015-10 OME2015-10
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] SDM2015-10 OME2015-10
pp.39-40
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
13:25
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析
岡田竜弥神村盛太野口 隆琉球大SDM2015-14 OME2015-14
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20-500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能で... [more] SDM2015-14 OME2015-14
pp.53-55
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
13:30
京都 京都大学 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大EID2014-23 SDM2014-118
高い電流駆動能力を有する低温(LT)多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の実現に向け,連続波レーザラテ... [more] EID2014-23 SDM2014-118
pp.51-54
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
15:00
沖縄 沖縄県青年会館 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響
茂藤健太崎山 晋酒井崇嗣中嶋一敬岡本隼人高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2014-5 OME2014-5
電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した.その結果,2MeVの高エネル... [more] SDM2014-5 OME2014-5
pp.21-25
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