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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IT | 2016-09-02 14:35 |
佐賀 | ニューハートピア | Channel Resolvability over Single and Compound Channels ○Hideki Yagi（UEC）  IT2016-41 |
一様乱数を変換して与えられた通信路の出力分布を近似する際に，必要となる一様乱数のサイズのレート(resolvabilit... [more] | IT2016-41 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大） ED2010-78 SDM2010-79 |
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] | ED2010-78 SDM2010-79 pp.119-124 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
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