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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2018-05-24 13:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions ○mansoureh keikhaei・Masaya Ichimura（NIT） ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 |
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high ... [more] | ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 pp.5-10 |
| EA, US (併催) |
2017-01-25 13:00 |
京都 | 同志社大学 室町キャンパス 寒梅館 | ［ポスター講演］水中有機酸の超音波分解 ○原田貴伸・秦野健司・興津健二（阪府大） US2016-96 |
水溶液中での有機酸の超音波分解について検討した。これまでの超音波分解に関する研究では、各種有機酸の体系的な研究がなされて... [more] | US2016-96 pp.125-126 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理... [more] | ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 pp.43-46 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2015-06-19 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 大気圧CVD法による酸化スズ及び酸化ガリウムナノワイヤーの成長 ○寺迫智昭・倉重利規（愛媛大）・矢木正和（香川高専） EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27 |
金属(スズもしくはガリウム)と水を原料，金(Au)を触媒に用いた大気圧化学気相堆積(CVD)法で成長温度，原料供給比及び... [more] | EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27 pp.17-22 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大） ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] | ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 pp.81-84 |
| CPM | 2014-10-24 14:20 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | 光照射可能なホットウォール型化学気相成長装置の開発とカーボンナノチューブの作製 川口大貴・津田悠作・吉田圭佑・永田知子・○岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2014-106 |
単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)の850 ºC~10... [more] | CPM2014-106 pp.17-20 |
| CPM | 2014-10-24 16:20 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積 山中雄貴・兼森遥平・○高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2014-110 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセン、トリ エタノールアミン、チオアセトア... [more] | CPM2014-110 pp.29-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-11-15 13:00 |
東京 | 早稲田大学 | 鉄白金ナノ粒子の単層規則配列形成に向けた塗布成膜条件の最適化 ○蜂巣琢磨・四反田 卓・相川健一郎・藤平誉樹・杉山敦史・水野 潤・庄子習一・逢坂哲彌（早大）・山根 明・坂脇 彰・茂 智雄（昭和電工） MR2013-19 |
化学的合成により得られる数ナノメートルの均一粒径にそろったナノ粒子は高い自己組織化形成能 (Direct self as... [more] | MR2013-19 pp.1-6 |
| CPM | 2013-08-01 13:50 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化 ○池田和磨・小島信晃・大下祥雄・山口真史（豊田工大） CPM2013-40 |
これまでN濃度により決まると考えられてきたGaAsNの低いキャリア移動度と寿命を化学ビームエピタキシー法により改善した．... [more] | CPM2013-40 pp.7-10 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 pp.85-89 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2009-12-04 16:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2009-168 |
酸化ニッケル(NiO) は不定比酸化物として知られており，また，抵抗スイッチング特性を示すことから，抵抗変化型不揮発性メ... [more] | SDM2009-168 pp.89-92 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 pp.25-30 |
| US | 2008-10-31 11:10 |
東京 | 同志社大学 東京オフィス | 超音波パルス法を用いた酸化物ガラスのデバイ温度と比熱の関係 ○稲葉誠二・藤野 茂・名嘉山祥也・梶原稔尚（九大） US2008-58 |
2、3成分からなるケイ酸塩系、アルミノケイ酸塩系、ホウ酸塩系、リン酸塩系、テルル酸塩系、ゲルマン酸塩系および重金属系ガラ... [more] | US2008-58 pp.45-50 |
| CPM | 2008-08-04 14:00 |
北海道 | 室蘭工業大学 | 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 ○福田 永（室蘭工大）・古川雅一（アリエース・リサーチ） CPM2008-41 |
本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用を目的としている。今回、300℃以下の低温領域でシ... [more] | CPM2008-41 pp.1-4 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化 ○塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ED2007-207 MW2007-138 |
ウェットプロセスによるGaN系材料の表面安定化(パッシベーション)を試みるため、グリコール水溶液中での電気化学プロセスに... [more] | ED2007-207 MW2007-138 pp.7-10 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:05 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用 ○佐藤威友・藤野敏幸・橋詰 保（北大） |
InPポーラスナノ構造の高密度形成と，精密な寸法制御を目的とした表面エッチングを連続的に行う２段階電気化学プロセスを開発... [more] | |
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