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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2019-11-07 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 触媒反応支援CVD法におけるZnO膜への窒素ドーピング ○伊庭竜太・神林広樹・安達雄大（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大）  CPM2019-47 |
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相... [more] | CPM2019-47 pp.15-19 |
| CPM | 2019-11-07 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | ［招待講演］触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長 ○安井寛治（長岡技科大） CPM2019-48 |
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と... [more] | CPM2019-48 pp.21-26 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 13:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Ir触媒表面で励起したNOガスによるZnO膜への窒素ドープ効果 ○齋藤太朗・安達雄大・伊庭竜太・小野翔太郎（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） CPM2018-42 |
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相... [more] | CPM2018-42 pp.5-9 |
| CPM | 2016-11-19 11:35 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | 触媒反応支援CVD法により成長した非極性ZnO結晶膜の光学特性 ○池田宗謙・田島諒一・安達雄大・玉山泰宏・加藤有行・安井寛治（長岡技科大） CPM2016-73 |
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いたCVD法により，r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を行い，得ら... [more] | CPM2016-73 pp.59-63 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2015-06-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 ○叶内慎吾・石塚侑己・大橋優樹（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28 |
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添... [more] | EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28 pp.23-27 |
| CPM | 2008-10-30 15:45 |
新潟 | 新潟大学 | 針状フラーレン凝集体合成プロセスの開発 境 恵二郎（東京理科大）・石塚大祐・飯尾靖也・栗原浩平・園村拓也（日大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・岩田展幸・○山本 寛（日大） CPM2008-86 |
フラーレンをベースとした鎖状凝集体の作製結果について報告する。フラーレンとしてはCNT とC60に着目した。カイラリティ... [more] | CPM2008-86 pp.65-70 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
| CPM | 2007-08-09 15:45 |
山形 | 山形大学 | DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 奥山博基・園村拓也・岩田展幸・○山本 寛（日大） CPM2007-41 |
CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CN... [more] | CPM2007-41 pp.27-32 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 14:00 |
佐賀 | 佐賀大学 | Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT ○天清宗山・後藤清毅・志賀俊彦・戸塚正裕・佐々木 肇・國井徹郎・山本佳嗣・井上 晃・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯p... [more] | ED2005-166 MW2005-121 pp.45-49 |
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