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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 10:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［奨励講演］輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究 ○森 恵人・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）  ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73 |
窒化物半導体光デバイスの活性層に用いられるInGaNやAlGaNの量子井戸(QW)における再結合のキャリアダイナミクスは... [more] | ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73 pp.73-76 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大） ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32 |
InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスの理解には，内部量子効率(IQE)を正確に評価する必要がある． 本研究... [more] |
ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32 pp.29-32 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] | ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 pp.71-76 |
| OME | 2014-10-10 10:55 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 有機薄膜太陽電池における光励起キャリアの輸送特性 ○稲田 貢・磯部 希・三宅伴季・山中祥造・齊藤 正（関西大） OME2014-38 |
銅フタロシアニン（CuPc）とフラーレン（C60）を電荷輸送層とする有機薄膜太陽電池を作製し，Nd-YAGレーザーによる... [more] | OME2014-38 pp.5-8 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 14:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 |
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] | ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 pp.93-98 |
| SDM | 2012-12-07 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 ○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2012-115 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] | SDM2012-115 pp.1-5 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード ○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大） ED2011-125 MW2011-148 |
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] | ED2011-125 MW2011-148 pp.35-40 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
SiCによる超高耐圧デバイス作製において，キャリアライフタイム制御は必須であるが，SiCでは表面再結合速度に関する報告が... [more] | ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 pp.15-20 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 |
3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である．しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実... [more] | ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 pp.21-26 |
| SDM | 2008-12-05 15:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 ○滝内 芽・鮫島俊之（東京農工大） SDM2008-193 |
プラズマ及び紫外線レーザ照射後のMOS試料の電気特性の変化について報告する。P型シリコン基板に100nmの熱酸化膜を形成... [more] | SDM2008-193 pp.49-54 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 pp.95-100 |
| EMT, LQE, OPE, PN (共催) |
2008-01-29 09:30 |
大阪 | 大阪電気通信大学 | 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響 ○角田慎一・西村英晋・田中将士・須崎 渉（阪電通大） PN2007-55 OPE2007-163 LQE2007-141 |
GaAsとInP基板上に形成した各種の光・キャリヤ分離閉じ込め型量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命を矩形電流パルスに対す... [more] | PN2007-55 OPE2007-163 LQE2007-141 pp.101-106 |
| CPM | 2007-08-10 11:45 |
山形 | 山形大学 | 太陽電池用アモルファスSi薄膜のキャリア濃度測定と発電特性シミュレーション ○鈴木貴彦・島川武久・廣瀬文彦（山形大） CPM2007-49 |
アモルファスSi太陽電池の高効率構造を提案することを目的としてデバイスシミュレーションを行った。これまでにも同様の試みが... [more] | CPM2007-49 pp.69-73 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2007-07-26 16:05 |
兵庫 | 神戸大学瀧川記念学術交流会館 | ワイヤレスセンサーネットワーク応用キャリアセンス機能を持つ433MHz帯、356-uW電圧増幅器 ○李 赫鍾・三上真司・竹内 隆・一圓真澄・川口 博・太田 能・吉本雅彦（神戸大） ICD2007-50 |
ワイヤレスセンサーネットワーク(WSN)向け433MHz帯OOKレシーバの消費電力の94%を占める電圧増幅器の低消費電力... [more] | ICD2007-50 pp.77-82 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:55 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements ○Masashi Kato・Keisuke Fukushima・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）・Masakazu Kanechika・Osamu Ishiguro・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-24 14:50 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価 ○福島圭亮・加藤正史・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 14:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 ○市村正也（名工大） |
光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。こ... [more] | ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38 pp.101-106 |
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