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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2011-10-21
14:50
宮城 東北大学未来研 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討
中久保義則江利口浩二松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-111
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] SDM2011-111
pp.79-84
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
15:30
愛知 名古屋工業大学 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価
鬼頭孝輔加藤正史市村正也名工大ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
pp.101-106
ED 2007-11-27
13:30
宮城 東北大学 電気通信研究所 ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究
小野島紀夫笠松章史広瀬信光NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2007-187
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] ED2007-187
pp.1-5
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
15:45
京都 京都大学 XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
小野島紀夫東脇正高NICT)・須田 淳木本恒暢京大)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62
pp.35-38
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