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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT, PEM
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2016-01-28
10:55
兵庫 神戸市産業振興センター 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価
只野翔太郎金子貴晃山中健太郎西山伸彦荒井滋久東工大PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64
長波長帯トランジスタレーザ(TL)は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モー... [more] PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64
pp.21-26
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
09:35
青森 青森県観光物産館アスパム 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価
進藤隆彦小林 亘小木曽義弘藤原直樹伊賀龍三大礒義孝石井啓之NTTR2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有... [more] R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
pp.73-76
LQE 2012-12-13
11:00
東京 機械振興会館 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調
下山峰史松田 学奥村滋一植竹理人江川 満山本剛之富士通研LQE2012-124
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector(DR)レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] LQE2012-124
pp.15-18
LQE 2010-12-17
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光電子融合基盤技研/富士通/富士通研LQE2010-120
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い,通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている.我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] LQE2010-120
pp.27-32
LQE 2009-12-11
14:40
東京 機械振興会館 地下3階2号室 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光協会/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光協会/富士通/富士通研LQE2009-148
近年の急激な通信量の増加に伴い,直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている.我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] LQE2009-148
pp.51-56
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
10:10
東京 機械振興会館 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
伊賀龍三近藤康洋竹下達也岸 健志湯田正宏NTT
Ruthenium(Ru)をドープした高抵抗InP膜で埋込んだ構造の1.3ミクロン帯InGaAsP系MQW DFBレーザ... [more] OPE2006-16 LQE2006-20
pp.7-10
OPE 2006-02-17
16:05
東京 機械振興会館 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD
鶴岡清貴小林隆二難波江宏一徳留圭一大澤洋一加藤友章NEC
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] OPE2005-153
pp.41-46
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