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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:25
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価
真崎 諒吉田有佑芝浦工大)・天野英晴慶大)・宇佐美公良芝浦工大VLD2018-108 HWS2018-71
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] VLD2018-108 HWS2018-71
pp.91-96
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-06
14:55
熊本 くまもと県民交流館パレア 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大VLD2017-33 DC2017-39
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] VLD2017-33 DC2017-39
pp.37-42
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:25
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 超低消費電力再構成可能アクセラレータCC-SOTB2の実装と評価
増山滉一朗安藤尚輝松下悠亮奥原 颯天野英晴慶大VLD2016-54 DC2016-48
Cool mega array(CMA)は,近年のウェアラブル機器やIoTに搭載するためのチップとしてsilicon o... [more] VLD2016-54 DC2016-48
pp.61-66
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:15
大阪 中央電気倶楽部 SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証
小笠原泰弘産総研SDM2016-65 ICD2016-33
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] SDM2016-65 ICD2016-33
pp.111-116
VLD 2016-03-01
17:05
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討
吉田有佑工藤 優宇佐美公良芝浦工大VLD2015-130
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] VLD2015-130
pp.111-116
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-21
10:55
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化
川瀬大樹奥原 颯天野英晴慶大VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84
極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxid... [more] VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84
pp.191-196
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-02
17:10
長崎 長崎県勤労福祉会館 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路
小出知明石橋孝一郎電通大)・杉井信之超低電圧デバイス技研組合CPM2015-134 ICD2015-59
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] CPM2015-134 ICD2015-59
pp.39-43
RECONF 2015-06-20
14:00
京都 京都大学 SOTBトランジスタを用いた4つ目のFlex Power FPGAチップを搭載した評価ボードAISTinoについて
小池汎平日置雅和小笠原泰弘産総研)・石垣隼人堤 利幸明大)・中川 格関川敏弘産総研RECONF2015-22
Flex Power FPGAは、ボディバイアス技術を利用して、FPGAの各回路ブロックのしきい値電圧をプログラム可能と... [more] RECONF2015-22
pp.119-124
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM
(共催)
(連催) [詳細]
2015-03-07
08:30
鹿児島 奄美市社会福祉協議会 会議室(2F・4F) 低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBの電力最適化
藤田 悠奥原 颯増山滉一朗天野英晴慶大CPSY2014-174 DC2014-100
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてLEAPによって開発され
たSOTB(Silicon-on-Thi... [more]
CPSY2014-174 DC2014-100
pp.71-76
RECONF 2014-06-12
11:40
宮城 片平さくらホール 低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBのボディバイアス制御
藤田 悠蘇 洪亮天野英晴慶大RECONF2014-8
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてシリコンの Thin... [more] RECONF2014-8
pp.37-42
VLD 2014-03-05
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法
三枝樹規宇佐美公良芝浦工大VLD2013-162
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源... [more] VLD2013-162
pp.153-158
CPSY, VLD, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2013-01-16
17:00
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 薄膜BOX-SOIにおける基板バイアス効果を利用した動的なマルチVth設計の検討
網代慎也工藤 優宇佐美公良芝浦工大VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)というFD-SOIデバイスは0.4Vという超低電圧... [more] VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74
pp.75-80
VLD 2012-03-07
16:05
大分 ビーコンプラザ パワースイッチの基板電圧選択制御によるサブスレッショルド回路のリークエネルギー低減化
三橋 遼工藤 優太田雄也宇佐美公良芝浦工大VLD2011-144
リークエネルギーを低減する技術の一つであるパワーゲーティング(PG)は、挿入するパワースイッチ(PS)の閾値にリークエネ... [more] VLD2011-144
pp.145-150
ICD 2011-12-15
16:10
大阪 大阪大学会館 [ポスター講演]スリープ深度制御による動作時リーク電力削減
武田清大三輪 忍中村 宏東大ICD2011-114
製造プロセスの微細化にともないリーク電力は増加しており,VLSI回路設計においてリーク電力の削減は必須である.スタンバイ... [more] ICD2011-114
p.69
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-21
09:55
広島 広島工業大学 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化
増田長太郎廣瀬哲也大崎勇士黒木修隆沼 昌宏神戸大ICD2011-22
本研究は,センスアンプの性能向上を目的とし,消費電力を増加させることなく
高速動作を実現する手法を提案する.提案するセ... [more]
ICD2011-22
pp.7-12
VLD 2009-03-13
10:40
沖縄 沖縄県男女共同参画センター レイアウトを考慮した基板バイアスクラスタリング手法
濱本浩一阪大)・橋本昌宜密山幸男尾上孝雄阪大/JSTVLD2008-159
近年、基板バイアス制御によるLSIの性能補償に関する研究が多く行われている。従来、回路ブロックが基板バイアス制御の空間的... [more] VLD2008-159
pp.195-200
VLD, CAS, SIP
(共催)
2008-06-26
15:05
北海道 北海道大学 高等教育機能開発センター 基板バイアス印加レイアウト方式の面積効率と速度制御性の評価
濱本浩一更田裕司阪大)・橋本昌宜密山幸男尾上孝雄阪大/JSTCAS2008-14 VLD2008-27 SIP2008-48
製造ばらつきによる性能ばらつきを補償する手段として、基板バイアス制御が注目を集めている。将来的に一般的な性能補償技術とし... [more] CAS2008-14 VLD2008-27 SIP2008-48
pp.75-79
ICD 2008-04-17
10:15
東京 機械振興会館 [招待講演]NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM
山岡雅直日立)・前田徳章島崎靖久ルネサステクノロジ)・長田健一日立ICD2008-2
NMOSとPMOSの基板バイアスを個別制御するSRAMモジュールを提案した。このSRAMモジュールでは、メモリセルのリー... [more] ICD2008-2
pp.7-12
RECONF, CPSY, VLD, IPSJ-SLDM
(共催)
2008-01-16
10:15
神奈川 慶應義塾大学日吉キャンパス [招待講演]Flex Power FPGA:デバイス、回路、アーキテクチャ、ソフトウェアにまたがる垂直統合型研究のささやかな試み
小池汎平産総研
我々は、しきい値電圧を細粒度で再構成可能とすることによりFPGAの静的消費電力の大幅な削減を目指したFlex Power... [more] VLD2007-105 CPSY2007-48 RECONF2007-51
pp.1-6
RECONF 2006-05-18
14:15
宮城 東北大学 Flex Power FPGAにおける最適ボディバイアス電圧値組み合わせの詳細な分析
河並 崇日置雅和松本洋平産総研)・堤 利幸産総研/明大)・中川 格関川敏弘小池汎平産総研
Flex Power FPGAはトランジスタのしきい値電圧を電気的に制御することにより,高速化と低消費電力化を可能とした... [more] RECONF2006-4
pp.19-24
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