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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 10:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロウェーブを用いたプラズマ支援型低温ALDによる窒化アルミニウムの試作と評価 ○髙橋知也・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）  CPM2023-99 |
窒化アルミニウムは広いバンドギャップと水・酸素への安定性からデバイスのパッシベーション膜等への応用が期待されている。本実... [more] | CPM2023-99 pp.11-14 |
| CPM | 2024-02-29 11:00 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いた水素分圧評価 ○大塚魁人・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大） CPM2023-100 |
水素は環境にやさしいクリーンなエネルギー源として期待されているが、可燃性及び爆発性があるので水素の漏洩を瞬時に検知可能な... [more] | CPM2023-100 pp.15-18 |
| SDM | 2024-01-31 13:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 ○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大） SDM2023-75 |
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] | SDM2023-75 pp.5-8 |
| CPM | 2023-02-28 16:00 |
東京 | 東京工科大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
微細素子静電強結合のための原子層堆積TiO2膜の研究 ○高田文洋・水柿義直・島田 宏（電通大） CPM2022-106 |
微細電子デバイスを静電容量を介して強く結合する際には、誘電層に比誘電率が高い材料が必要となる。本研究では、高誘電率材料の... [more] | CPM2022-106 pp.78-81 |
| ED | 2019-04-18 13:25 |
宮城 | 東北大・通研 | 室温原子層堆積法を用いたZnO薄膜の特性評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大） ED2019-2 |
酸化亜鉛(ZnO)は低コスト、ワイドバンドギャップ、高い可視光透過性、無毒といった特徴を持つ。このため透明導電膜、UVセ... [more] | ED2019-2 pp.5-8 |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| ED | 2017-04-20 15:25 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | 室温原子層堆積法を用いたSnO2膜作製およびデバイス応用 ○齊藤俊介・野老健太郎・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2017-5 |
酸化スズ(SnO2)を用いたガスセンサは大半が焼結形であるために、粒径分布による特性のばらつきが生じやすく、また粒径に対... [more] | ED2017-5 pp.17-20 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| SDM | 2016-06-29 17:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京） SDM2016-47 |
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] | SDM2016-47 pp.79-84 |
| ED | 2016-04-22 11:30 |
山形 | 山形大学工学部 有機EL研究センター 4F大会議室 | プラズマ励起法を用いた室温原子層堆積法によるZrO2の試作と評価 ○野老健太郎・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2016-12 |
LSI分野において酸化ジルコニウムは高誘電率ゲート絶縁膜としての利用が期待されている。一般に酸化ジルコニウムは熱原子層堆... [more] | ED2016-12 pp.47-50 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| ED | 2015-04-16 14:45 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | 色素増感太陽電池フォト電極のハフニアコーティング効果 ○今井貴大・加藤祐樹・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2015-4 |
原子層堆積法を用いて TiO2電極上に HfO2を堆積させることで、色素増感太陽電池の高効率化の可能性を検証した。HfO... [more] | ED2015-4 pp.15-18 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:00 |
京都 | 京都大学 | 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-36 SDM2014-131 |
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] | EID2014-36 SDM2014-131 pp.119-123 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 15:45 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 ○鈴木恭一・小野満恒二・原田裕一・村木康二（NTT） ED2013-136 SDM2013-151 |
直接ギャップ半導体であるInAsとGaSbを用いて、そのヘテロ接合により2次元トポロジカル絶縁体を実現した。非局所抵抗測... [more] | ED2013-136 SDM2013-151 pp.25-30 |
| SDM | 2013-12-13 09:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-117 |
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して，堆... [more] | SDM2013-117 pp.7-11 |
| SDM | 2013-06-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-45 |
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more] | SDM2013-45 pp.7-11 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| CPM | 2010-07-30 09:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | TDEAV原料を用いたVNx膜のALD成膜 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・須藤 弘・町田英明（気相成長）・伊藤 俊・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2010-37 |
Si-ULSIのCu多層配線において、さらなるバリヤ膜の極薄化と低抵抗化が望まれている。一方、我々は先の研究で反応性スパ... [more] | CPM2010-37 pp.35-38 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大） ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 |
有機金属気相成長法でSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期時の... [more] | ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 pp.75-79 |
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