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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
OME
2023-11-01
13:55
兵庫
じばさんびる 502会議室(姫路)
屋内用太陽電池に対する照明光のパルス幅変調の影響
○
多田和也
(
兵庫県立大
)
OME2023-44
太陽電池を屋内発電用途に使用する際には,屋内照明光の性質に配慮する必要がある。特に近年では,LEDを用いた固体照明が第一...
[more]
OME2023-44
pp.7-11
OPE
2013-12-20
15:00
東京
機械振興会館
3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ
○
カン ジュンヒョン
・
渥美裕樹
・
林 侑介
・
鈴木純一
・
久能雄輝
・
雨宮智宏
・
西山伸彦
・
荒井滋久
(
東工大
)
OPE2013-142
シリコンフォトニクスによる光インターコネクトは多層構造を導入することで更なる高伝送密度化が可能である。本研究では多層間の...
[more]
OPE2013-142
pp.25-30
OPE
2011-12-16
15:25
東京
機械振興会館
アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討
○
カン ジュンヒョン
・
渥美裕樹
・
小田 学
・
西山伸彦
・
荒井滋久
(
東工大
)
OPE2011-146
LSIの高速化の限界を乗り越えるため、シリコンフォトニクスを用いた光インターコネクト技術が注目を浴びている。アモルファス...
[more]
OPE2011-146
pp.27-32
SDM
2010-10-21
17:40
宮城
東北大学
薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化
○
岩鍜治陽子
・
広田 潤
・
矢吹 宗
・
石田浩一
・
金子和香奈
・
水島一郎
・
赤堀浩史
(
東芝
)
SDM2010-158
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い...
[more]
SDM2010-158
pp.31-34
PN
2010-09-02
13:00
北海道
洞爺観光ホテル
[招待講演]シリコンフォトニクス
○
森 雅彦
・
榊原陽一
・
岡野 誠
・
古屋克己
・
亀井利浩
・
金高健二
・
庄司雄哉
・
須田悟史
・
河島 整
(
産総研
)
PN2010-16
シリコンを光導波路のコアに、SiO2や空気をクラッドとして用いるシリコンフォトニクスは、高屈折率差により微小光回路を実現...
[more]
PN2010-16
pp.25-30
SDM
2009-10-30
11:30
宮城
東北大学
ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化
○
田主裕一朗
・
河野陽輔
・
黒木伸一郎
・
小谷光司
(
東北大
)・
村 直美
・
山上公久
・
古村雄二
(
フィルテック
)・
伊藤隆司
(
東北大
)
SDM2009-128
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール...
[more]
SDM2009-128
pp.47-50
OPE
,
LQE
,
OCS
(共催)
2009-10-23
10:15
福岡
九州大学
アモルファスシリコンを用いた積層型方向性結合器の試作
○
榊原陽一
・
亀井利浩
・
糸賀恵美子
・
岡野 誠
・
金高健二
・
庄司雄哉
・
森 雅彦
(
産総研
)
OCS2009-66 OPE2009-132 LQE2009-91
アモルファスシリコンは、薄膜堆積を繰り返すことで、立体的な光配線が原理的に作製可能である。本研究では、水素化アモルファス...
[more]
OCS2009-66
OPE2009-132
LQE2009-91
pp.125-129
SCE
2009-07-21
14:15
東京
機械振興会館
アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の評価
○
御田村直樹
・
丸山千風
・
赤池宏之
・
藤巻 朗
(
名大
)・
石井林太郎
・
新原佳紘
・
内藤方夫
(
東京農工大
)
SCE2009-12
アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の作製及び評価を行った。障壁層としてアモルファスボロンおよびアモ...
[more]
SCE2009-12
pp.19-23
OPE
2008-12-19
15:20
東京
機械振興会館
縦続接続テーパから成るシリコン細線導波路用スポットサイズ変換器
○
石村友洋
・
大島昭彦
・
依田秀彦
(
宇都宮大
)・
チェン ツァイ
(
カリフォルニア大
)・
白石和男
(
宇都宮大
)
OPE2008-141
シリコン細線導波路と光ファイバを低損失で接続するため,面内線形テーパと垂直非線形テーパから成る縦続接続型スポットサイズ変...
[more]
OPE2008-141
pp.25-29
SDM
,
OME
(共催)
2008-04-11
11:50
沖縄
沖縄県青年会館
Si系薄膜光センサデバイス
○
田井光春
・
昆野康隆
・
波多野睦子
(
日立
)・
宮沢敏夫
(
日立ディスプレイズ
)
SDM2008-7 OME2008-7
ディスプレイへの機能付加を目的として,薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ,光センサ素子としての適用可能性を検討した....
[more]
SDM2008-7
OME2008-7
pp.33-36
CPM
2007-08-10
11:45
山形
山形大学
太陽電池用アモルファスSi薄膜のキャリア濃度測定と発電特性シミュレーション
○
鈴木貴彦
・
島川武久
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
CPM2007-49
アモルファスSi太陽電池の高効率構造を提案することを目的としてデバイスシミュレーションを行った。これまでにも同様の試みが...
[more]
CPM2007-49
pp.69-73
OME
,
SDM
,
ED
(共催)
2007-04-20
13:25
福岡
九州大学西新プラザ
静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用
○
石田雄二
・
中川 豪
・
浅野種正
(
九大
)
ED2007-2 SDM2007-2 OME2007-2
ニードル先端から液滴を吐出する方式の静電型インクジェットの液滴吐出挙動を調査した. ニードル先端の曲率半径を小さくすると...
[more]
ED2007-2
SDM2007-2
OME2007-2
pp.5-10
SIP
,
ICD
,
IE
,
IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-20
13:00
宮城
作並温泉一の坊
a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ
○
笠野真弘
・
稲葉雄一
・
森 三佳
・
春日繁孝
・
村田隆彦
・
山口琢己
(
松下電器
)
検出回路アンプの4画素共有化技術と新規駆動方式により、1画素あたりのトランジスタ数1.5個を実現し、0.15μmの微細設...
[more]
SIP2005-105
ICD2005-124
IE2005-69
pp.55-59
13件中 1~13件目
/
日付順(昇順)
日付順(降順)
タイトル順
著者順
所属順
研究会順
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