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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-04-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | F4-TCNQを用いたP3HTパターン薄膜を電極に用いた全有機型トランジスタの作製 ○但木大介・馬 騰（東北大）・木村康男（東京工科大）・庭野道夫（東北大）  ED2015-2 |
近年、溶液プロセスによって簡便に作製が可能であり、低コストで薄型・軽量かつ大面積なフレキシブル有機デバイスに関する研究が... [more] | ED2015-2 pp.7-10 |
| OME | 2013-05-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 B3F-2 | 低分子量PEDOT蒸着膜の作製とドーピング特性 江口大海・○長谷川 愛・土屋康佑・田中邦明・荻野賢司・臼井博明（東京農工大） OME2013-24 |
Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)は導電性高分子の中でも高い導電性や熱的安... [more] | OME2013-24 pp.7-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:05 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 ○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] | ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 pp.11-14 |
| ED | 2012-04-18 13:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ ○但木大介・馬 騰・張 晋逾・飯野祥平・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2012-3 |
近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを... [more] | ED2012-3 pp.9-13 |
| OME | 2011-12-21 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | シロール誘導体の添加による青色有機光電変換素子の高効率化 ○木村 翔・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦・森 桂大・幡野 健（埼玉大） OME2011-67 |
小型で高解像度な次世代のセンシングデバイスとして、有機イメージセンサが期待されている。有機イメージセンサは、3原色の光そ... [more] | OME2011-67 pp.7-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 15:25 |
佐賀 | 産総研九州センター | 配向ポリフルオレン薄膜上への色素蒸着による白色偏光EL ヘック クライレ・溝黒登志子・○谷垣宣孝（産総研） SDM2011-9 OME2011-9 |
我々は摩擦転写法によって共役系高分子の配向薄膜を作製することにより偏光電界発光（EL）素子の作製を目指して研究している．... [more] | SDM2011-9 OME2011-9 pp.37-41 |
| OME | 2008-11-07 15:25 |
長野 | セイコーエプソン(株) | ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜の作製と評価 ○小出哲也・串田正人（千葉大） OME2008-63 |
バルクにおいてポリチオフェンや金は高い導電性を持つが，高い導電性を保持したまま数ナノメートルオーダーの薄膜が作製できれば... [more] | OME2008-63 pp.29-32 |
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