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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT）  ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| ED | 2010-06-17 15:50 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 ○東脇正高（NICT/JST/カリフォルニア大）・Srabanti Chowdhury・Brian L. Swenson・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大） ED2010-39 |
AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面バリアハイトに対するアニールプロセス中に起こる表面酸化の影響を、ホール測定お... [more] | ED2010-39 pp.31-35 |
| OME | 2009-01-21 12:40 |
愛知 | 名古屋大学 | 有機EL素子における透明電極/有機層界面のXPS分析 ○佐藤敏一・藤川久喜（豊田中研）・山本一郎・村崎孝則・加藤祥文（豊田自動織機） OME2008-86 |
光の照射による有機EL (Electroluminescence)素子の劣化，および透明電極として用いられるITO(In... [more] | OME2008-86 pp.23-28 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2007-06-07 14:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） SDM2007-34 |
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] | SDM2007-34 pp.17-22 |
| SDM | 2007-06-08 14:15 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2007-48 |
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] | SDM2007-48 pp.91-96 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| SDM | 2006-06-21 16:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more] | SDM2006-49 pp.43-48 |
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