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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-06-20
16:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一大田晃生黒澤昌志洗平昌晃池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2017-30
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] SDM2017-30
pp.43-48
SDM 2016-06-29
14:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大SDM2016-40
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] SDM2016-40
pp.43-47
SDM 2015-06-19
11:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
森 大輔井上 慧寺西秀明広瀬隆之瀧川亜樹富士電機SDM2015-42
SiC(000-1)面(C面)、SiC(0001)面(Si面)それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] SDM2015-42
pp.21-26
SDM 2014-10-17
10:40
宮城 東北大学未来研 角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明
笹子知弥山堀俊太野平博司東京都市大SDM2014-90
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃~850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を... [more] SDM2014-90
pp.35-39
ED 2014-08-01
15:50
東京 機械振興会館B3-1室 Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
上村崇史NICT)・佐々木公平タムラ)・黄 文海ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ)・増井建和光波)・山越茂伸タムラ)・東脇正高NICTED2014-60
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] ED2014-60
pp.41-46
SDM 2013-10-18
10:30
宮城 東北大学未来研 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価
池野成裕永田晃基明大)・陰地 宏廣沢一郎高輝度光科学研究センター)・小椋厚志明大SDM2013-94
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] SDM2013-94
pp.33-36
SDM 2012-06-21
15:05
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価
筒井一生金原 潤宮田陽平東工大)・野平博司東京都市大)・泉 雄大室 隆桂之木下豊彦高輝度光科学研究センター)・パールハット アヘメト角嶋邦之服部健雄岩井 洋東工大SDM2012-56
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] SDM2012-56
pp.69-74
SDM 2011-10-21
09:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価
野平博司小松 新那須賢太郎星 裕介榑林 徹澤野憲太郎東京都市大)・マクシム ミロノフWarwick大)・白木靖寛東京都市大SDM2011-103
Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が,HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si ... [more] SDM2011-103
pp.37-41
SDM 2011-07-04
14:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-61
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] SDM2011-61
pp.63-68
SDM 2010-12-17
15:10
京都 京都大学(桂) 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果
竹内光明龍頭啓充高岡義寛京大SDM2010-197
n-オクタンから生成したC$_{3}$H$_{7}^{+}$およびC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 多原子分子イオ... [more] SDM2010-197
pp.69-72
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:25
大阪 阪大 中ノ島センター 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
菊田大悟成田哲生高橋直子片岡恵太木本康司上杉 勉加地 徹豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を... [more] ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
pp.59-62
ED 2010-06-17
15:50
石川 北陸先端大 AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響
東脇正高NICT/JST/カリフォルニア大)・Srabanti ChowdhuryBrian L. SwensonUmesh K. Mishraカリフォルニア大ED2010-39
AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面バリアハイトに対するアニールプロセス中に起こる表面酸化の影響を、ホール測定お... [more] ED2010-39
pp.31-35
SDM 2009-06-19
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
大田晃生貫目大介東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-42
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] SDM2009-42
pp.87-92
SDM 2009-06-19
17:00
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
後藤優太貫目大介大田晃生尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-44
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] SDM2009-44
pp.99-103
OME 2009-01-21
12:40
愛知 名古屋大学 有機EL素子における透明電極/有機層界面のXPS分析
佐藤敏一藤川久喜豊田中研)・山本一郎村崎孝則加藤祥文豊田自動織機OME2008-86
光の照射による有機EL (Electroluminescence)素子の劣化,および透明電極として用いられるITO(In... [more] OME2008-86
pp.23-28
SDM 2008-10-10
16:15
宮城 東北大学 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究
諏訪智之東北大)・荒谷 崇信越化学)・樋口正顕東芝)・須川成利東北大)・池永英司高輝度光科学研究センター)・牛尾二郎日立)・野平博司武蔵工大)・寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大SDM2008-167
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] SDM2008-167
pp.69-74
SDM 2008-06-10
10:30
東京 東京大学(生産研 An棟) Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ~ Ruの実効仕事関数変化の起源 ~
森 大樹大田晃生吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズSDM2008-50
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] SDM2008-50
pp.47-52
SDM 2008-06-10
11:20
東京 東京大学(生産研 An棟) TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ~ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ~
大田晃生森 大樹吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズSDM2008-52
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] SDM2008-52
pp.59-64
SDM 2007-06-07
14:45
広島 広島大学(学士会館) プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
三浦真嗣大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大)・鴻野真之西田辰夫中西敏雄東京エレクトロンSDM2007-34
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] SDM2007-34
pp.17-22
SDM 2007-06-08
11:20
広島 広島大学(学士会館) ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ~ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ~
佐藤創志舘 喜一宋 在烈角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生杉井信之服部健雄岩井 洋東工大SDM2007-44
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] SDM2007-44
pp.71-74
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