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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| NS, ICM, CQ, NV (併催) |
2022-11-24 14:55 |
福岡 | 福岡大学文系センター棟 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
仮想化コアネットワーク網における設計及び設定の自動化 ○河野陽介・田中俊也・伊藤那智・前田充洋・西村健治・近藤 靖（ドコモ・テクノロジ）  ICM2022-23 |
従来モバイルネットワークの構築は 人手により設計・設定を実施している．人手による作業では 作業期間の長期化や人的ミスの... [more] |
ICM2022-23 pp.7-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| ED | 2017-10-26 16:20 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | 炭化タングステンを用いた低仕事関数電界放射陰極に関する研究 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2017-42 |
走査型電子顕微鏡(SEM)において高輝度カソードとして広く用いられているタングステン電界放射陰極(W-FE)は，高価であ... [more] | ED2017-42 pp.27-29 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
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