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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-02-21 15:50 |
東京 | 東京大学 本郷 工4号館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Recent Studies of WoW and CoW Cu-Cu Hybrid Bonding ○Yoshihisa Kagawa・Yukako Ikegami・Takahiro Kamei・Hayato Iwamoto（SSS）  SDM2023-87 |
[more] | SDM2023-87 pp.31-35 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-25 09:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望 ○八木英樹（光電子融合基盤技研）・西山伸彦（東工大）・藤原直樹・柳沢昌輝（光電子融合基盤技研） R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 |
Beyond 5 G・6 Gといったワイヤレス通信技術の進展に伴い, 通信量が増大し, 2030年代には一つのトランシー... [more] | R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 pp.59-62 |
| SDM | 2023-02-07 14:00 |
東京 | 東京大学 武田ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用 ○須賀唯知（明星大） SDM2022-89 |
表面活性化接合（SAB）の半導体3Dヘテロインテグレーションへの適用の可能性について述べる．特に，近年検討がすすめられて... [more] | SDM2022-89 pp.17-22 |
| OPE, OCS, LQE (共催) |
2022-10-21 14:35 |
愛媛 | 松山市民会館 小ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 |
チップ間通信のような短距離通信に光インターコネクトを導入するため、極低消費電力で動作する光源が求められている。そこで我々... [more] | OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 pp.100-103 |
| SDM | 2022-02-04 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー 中澤圭一・○山元純平・藤井宣年・上原睦雄・平松克規・熊野秀臣・森 茂貴・岡本晋太郎・清水暁人・馬場公一・大沼英寿・松本 晃・財津光一郎・田谷圭司・平野智之・岩元勇人（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2021-77 |
我々はフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層した“2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセン... [more] | SDM2021-77 pp.13-16 |
| SDM | 2022-01-31 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー 中澤圭一・○山元純平・森 茂貴・岡本晋太郎・清水暁人・馬場公一・藤井宣年・上原睦雄・平松克規・熊野秀臣・松本 晃・財津光一郎・大沼英寿・田谷圭司・平野智之・岩元勇人（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2021-73 |
我々はフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層した“2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセン... [more] | SDM2021-73 pp.20-23 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-23 09:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望 ○竹中 充・李 強・関根尚希・高木信一（東大） R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 |
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] | R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 pp.43-46 |
| LQE, OPE, SIPH (共催) |
2018-12-06 17:10 |
東京 | 慶應義塾大学 | III-V/Siハイブリッド光集積回路に向けたチップオンウェーハプラズマ活性化接合の検討 ○白 柳（東工大）・菊地健彦（住友電工）・御手洗拓矢・西山伸彦（東工大）・八木英樹（住友電工）・雨宮智宏・荒井滋久（東工大） OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43 |
[more] | OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43 pp.149-153 |
| LQE | 2018-07-13 10:40 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 ○竹中 充・高木信一（東大） LQE2018-31 |
我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し，その光変調器応... [more] | LQE2018-31 pp.43-46 |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-25 13:25 |
福井 | 芦原温泉清風荘 | 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 ○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦（上智大） LQE2018-16 |
我々は，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] | LQE2018-16 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 11:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 |
本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術および... [more] | ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 pp.79-83 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 09:20 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・長谷部浩一・西 英隆・山本 剛・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] | R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 pp.1-4 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 ○西山哲央・松本恵一・岸川純也・大貫雄也・鎌田直樹・下村和彦（上智大） OPE2016-12 LQE2016-22 |
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] | OPE2016-12 LQE2016-22 pp.15-20 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦（上智大） OPE2015-13 LQE2015-23 |
Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ，この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバ... [more] | OPE2015-13 LQE2015-23 pp.15-20 |
| SDM | 2015-03-02 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術 ○武田健一・青木真由（日立） SDM2014-163 |
ハイブリッドウェハ接合とビアラスト型シリコン貫通ビア（TSV）を用いたCMOSデバイスのウェハ３層積層を実現した。このハ... [more] | SDM2014-163 pp.7-11 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦（上智大） OPE2014-15 LQE2014-20 |
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] | OPE2014-15 LQE2014-20 pp.15-18 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
| SDM | 2014-01-29 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ウェハ積層とVia-last型TSVを用いた三次元集積化CMOSデバイスの開発 ○青木真由・古田 太・朴澤一幸・花岡裕子・武田健一（日立） SDM2013-145 |
今回、Via-last型TSV(シリコン貫通電極)技術を用い、CMOSデバイスウェハを含むウェハの3層積層を世界で初めて... [more] | SDM2013-145 pp.43-46 |
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