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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた1T1R型アレイを使ったアナログインメモリコンピューティング ～ VLSI2021報告内容 ～ ○齋藤大輔・小林俊之・古賀洋貴（ソニー）・周藤悠介・奥野 潤・小西健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・塚本雅則・大栗一敦（ソニー）・梅林 拓（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・江崎孝之（ソニー）  SDM2021-36 ICD2021-7 |
エッジデバイスにおけるディープニューラルネットワーク（DNN）を用いた認識実現のためには、低電力動作が求められている。こ... [more] | SDM2021-36 ICD2021-7 pp.33-37 |
| SDM | 2018-11-08 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2018-66 |
本研究では，超低消費電力な集積回路実現に向け，酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] | SDM2018-66 pp.11-16 |
| SDM | 2018-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2017-92 |
本研究では，酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた，Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] | SDM2017-92 pp.5-8 |
| ED | 2015-12-21 15:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2015-95 |
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] | ED2015-95 pp.25-30 |
| SDM | 2015-06-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機） SDM2015-41 |
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] | SDM2015-41 pp.17-20 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| SDM | 2012-11-16 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ ○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研） SDM2012-111 |
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] | SDM2012-111 pp.63-68 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors ○Sang Wan Kim（Seoul National Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Min-Chul Sun・Hyun Woo Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） |
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have been regarde... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances. ○Jae Hwa Seo・Jae Sung Lee・Yun Soo Park・Jung-Hee Lee・In Man Kang（Kyunpook Nat'l Univ.） |
A gate-all-around tunneling field-effect transistor (GAA TFE... [more] | |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 16:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 ○登坂仁一郎・西口克彦・影島博之・藤原 聡（NTT） ED2011-149 SDM2011-166 |
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS... [more] | ED2011-149 SDM2011-166 pp.41-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 pp.43-48 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-89 SDM2009-84 |
We have studied transmission property of electron in vertica... [more] | ED2009-89 SDM2009-84 pp.169-172 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大） ED2008-234 SDM2008-226 |
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] | ED2008-234 SDM2008-226 pp.59-62 |
| SDM | 2008-12-05 13:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 ○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大） SDM2008-189 |
我々は，これまでにバイオナノドット（BND）を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた．本研究... [more] | SDM2008-189 pp.27-30 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション ○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-182 |
極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、... [more] | SDM2008-182 pp.77-82 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 14:45 |
北海道 | 北海道大学 | Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-240 SDM2007-251 |
Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in... [more] | ED2007-240 SDM2007-251 pp.17-22 |
| ED | 2007-06-15 16:40 |
富山 | 富山大学 | 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） ED2007-39 |
微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード２個とFET１個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路... [more] | ED2007-39 pp.45-50 |
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