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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 09:40 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］共鳴トンネルダイオードを用いたモード同期テラヘルツ発振器の開拓 ○有川 敬（京大）  ED2021-56 |
我々は、通常単一周波数で発振する共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器に外部キャビティを設けることで、複数の縦モードで同... [more] | ED2021-56 pp.40-43 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 10:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 |
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] | ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 pp.59-64 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| ED | 2010-12-16 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 ○鈴木左文・浅田雅洋（東工大） ED2010-158 |
共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ（THz）発振器に関して，最近の研究成果を報告する．我々は，高有効電流... [more] | ED2010-158 pp.1-6 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 16:40 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明 ○反町幹夫・比嘉康貴・松崎真也・宮本智之（東工大） PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 |
トンネル注入半導体光増幅器(TI-SOA)は，活性層にキャリアのリザーバーを設置することで，誘導放出により減少したキャリ... [more] | PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 pp.155-160 |
| LQE | 2007-12-07 11:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析 ○比嘉康貴・宮本智之・中島 浩・藤本康介・小山二三夫（東工大） LQE2007-116 |
量子井戸活性層にキャリア遷移過程を制御して注入する構造を併設したトンネル注入量子井戸構造において，活性層へのキャリア注入... [more] | LQE2007-116 pp.15-20 |
| LQE, OPE (共催) |
2005-06-24 09:15 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性 ○太田征孝・古旗達也・松浦哲也・松井康尚・宮本智之・小山二三夫（東工大） |
レーザの変調特性や温度特性向上を目的に，活性層に隣接した共鳴トンネルを有する，トンネル注入レーザ構造が提案されている．し... [more] | OPE2005-14 LQE2005-13 pp.1-6 |
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