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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-20 09:30 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | ［招待講演］共鳴トンネルダイオードを用いた10mW級高出力テラヘルツ光源 ○小山泰史・村尾竜耶・北澤佑記・行正浩二・内田達朗・吉岡 毅・藤本晃吉・佐藤崇広・伊庭 潤・櫻井克仁・市川武史（キヤノン）  ED2022-79 MWPTHz2022-50 |
パッチアンテナと共鳴トンネルダイオード（RTD）を集積したアクティブアンテナアレイを用いた小型・高パワー・高指向性の表面... [more] | ED2022-79 MWPTHz2022-50 pp.38-41 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 09:40 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］共鳴トンネルダイオードを用いたモード同期テラヘルツ発振器の開拓 ○有川 敬（京大） ED2021-56 |
我々は、通常単一周波数で発振する共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器に外部キャビティを設けることで、複数の縦モードで同... [more] | ED2021-56 pp.40-43 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 10:15 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 ○滝口将志・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2012-140 SDM2012-169 |
強磁性体-超伝導体-強磁性体からなる二重トンネル接合デバイスでは，バイアス電圧が超伝導ギャップ近傍にて負の磁気抵抗比が現... [more] | ED2012-140 SDM2012-169 pp.65-70 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 10:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 |
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] | ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 pp.59-64 |
| ED | 2012-07-27 10:20 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析 ○浅川澄人・田代篤史・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2012-50 |
およそ300GHz～10THz までのTHz 帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待さ... [more] | ED2012-50 pp.49-54 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 16:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 ○登坂仁一郎・西口克彦・影島博之・藤原 聡（NTT） ED2011-149 SDM2011-166 |
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS... [more] | ED2011-149 SDM2011-166 pp.41-46 |
| SCE | 2011-10-12 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・○水柿義直（電通大） SCE2011-13 |
サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決... [more] | SCE2011-13 pp.7-12 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 ○菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2010-199 SDM2010-234 |
サブミクロンAl 接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に... [more] | ED2010-199 SDM2010-234 pp.43-48 |
| ED | 2010-12-16 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 ○鈴木左文・浅田雅洋（東工大） ED2010-158 |
共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ（THz）発振器に関して，最近の研究成果を報告する．我々は，高有効電流... [more] | ED2010-158 pp.1-6 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 16:40 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明 ○反町幹夫・比嘉康貴・松崎真也・宮本智之（東工大） PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 |
トンネル注入半導体光増幅器(TI-SOA)は，活性層にキャリアのリザーバーを設置することで，誘導放出により減少したキャリ... [more] | PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 pp.155-160 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| LQE | 2007-12-07 11:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析 ○比嘉康貴・宮本智之・中島 浩・藤本康介・小山二三夫（東工大） LQE2007-116 |
量子井戸活性層にキャリア遷移過程を制御して注入する構造を併設したトンネル注入量子井戸構造において，活性層へのキャリア注入... [more] | LQE2007-116 pp.15-20 |
| SDM | 2007-06-07 15:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 ○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大） SDM2007-35 |
SiO2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されてい... [more] | SDM2007-35 pp.23-26 |
| LQE, OPE (共催) |
2005-06-24 09:15 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性 ○太田征孝・古旗達也・松浦哲也・松井康尚・宮本智之・小山二三夫（東工大） |
レーザの変調特性や温度特性向上を目的に，活性層に隣接した共鳴トンネルを有する，トンネル注入レーザ構造が提案されている．し... [more] | OPE2005-14 LQE2005-13 pp.1-6 |
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