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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 13:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ○安部功二・久保田 佑（名工大）  ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 |
ゾル-ゲル法は，酸化亜鉛（ZnO）をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている．しかし，ゾル-ゲル法で成膜したZnO... [more] | ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 pp.33-36 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 ○山本佑平・荒牧達也・伊藤 良・木村 睦（龍谷大） EID2020-3 SDM2020-37 |
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である. 熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more] |
EID2020-3 SDM2020-37 pp.9-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理... [more] | ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 14:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ［招待講演］酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 ○前元利彦・孫 屹・松田宗平・佐々木翔太・芦田浩平・カルトシュタイン オリバー・小山政俊・小池一歩・矢野満明・佐々誠彦（阪工大） ED2015-121 SDM2015-128 |
酸化物半導体のデバイス応用として，フレキシブル酸化亜鉛（Zinc oxide; ZnO）薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] | ED2015-121 SDM2015-128 pp.1-6 |
| OME | 2013-03-08 15:20 |
東京 | 機械振興会館 B1-2 | ラミネーションプロセスによる半透明有機薄膜太陽電池 ○深田健太・島田千恵子・白鳥世明（慶大） OME2012-111 |
我々は低コスト, 脱真空プロセスのラミネーション法により半透明有機薄膜太陽電池を作製した. この方法は透明な銀フィルムに... [more] | OME2012-111 pp.27-32 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 ○孫 屹・木村祐太・前元利彦・佐々誠彦（阪工大）・葛西誠也（北大） ED2012-133 SDM2012-162 |
酸化物半導体のデバイス応用として，セルフスイッチング型ナノダイオード（Self Switching nano-Diode... [more] | ED2012-133 SDM2012-162 pp.31-34 |
| OME, OPE (共催) |
2012-11-16 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | UV/O3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上 ○酒井 渉・山内 博・國吉繁一・飯塚正明・酒井正俊・工藤一浩（千葉大） OME2012-56 OPE2012-128 |
有機ELディスプレイとして優位性を有するアクティブマトリクス駆動型の新型構造素子を提案した。また駆動用トランジスタの半導... [more] | OME2012-56 OPE2012-128 pp.7-11 |
| ITE-IDY, EID (連催) |
2012-11-07 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | IMID2012報告 ～ TFT関連技術 ～ 日野 綾・○林 和志（神戸製鋼所） |
IMID2012 で発表されたＴＦＴ関連技術に関する講演について、酸化物半導体を中心に概要を報告する。 [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 15:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Influence of co-sputtered HfO2-Ti gate dielectric in IZO-based Transparent thin film transistors ○Jungil Yang・Donghee Lee・Dongkyu Cho・Sanghyun Woo・Yoosung Lim・Sungmin Park・Daekuk Kim・Moonsuk Yi（PNU.） |
Metal-oxide thin film transistors (TFTs) have been fabricate... [more] | |
| LQE, PN, OPE, OFT, EMT (共催) |
2006-02-02 14:40 |
兵庫 | 神戸大学 | マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式 ○大坪孝二・田中伸介・苫米地秀一・森戸 健・鍬塚治彦（富士通研） |
将来のフォトニックネットワークにおいて波長変換素子は重要なコンポーネントである．半導体光増幅器(SOA)の２波長励起縮退... [more] | PN2005-94 OFT2005-81 OPE2005-142 LQE2005-157 pp.51-54 |
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