お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 26件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
WPT 2024-03-14
14:00
京都 京都大学(宇治キャンパス)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
磁気結合非接触給電の共振電圧過渡現象分析と設計留意点(その2) ~ N-P,S-P型での包絡線近似式による特性指標設定と多様な過渡現象の考察 ~
安倍秀明 WPT2023-40
共振回路を伴う磁気結合非接触給電の研究は古くから行われている.定常状態での効率向上や電圧安定化等の研究が継続され,多くの... [more] WPT2023-40
pp.26-31
EE 2023-01-20
16:05
福岡 九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
13.56MHz直列型LC共振インバータを駆動するパワーMOSFETの挙動
新井大輔大矢根 蒼米澤 遊今岡 淳山本真義名大EE2022-54
主スイッチとしてSiC-MOSFETをハーフブリッジ構成で使用し,13.56MHzで動作する直列型LC共振インバータにお... [more] EE2022-54
pp.157-162
WPT 2020-12-08
13:55
ONLINE オンライン開催 磁気結合非接触給電の共振電圧過渡現象分析と設計留意点(その1) ~ N-S,S-S型での包絡線近似式による特性指標設定と多様な過渡現象の考察 ~
安倍秀明 WPT2020-28
共振回路を伴う磁気結合非接触給電の研究は古くから行われている.定常状態での効率向上や電圧安定化等の研究が継続され,多くの... [more] WPT2020-28
pp.11-16
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
NLP 2015-04-23
13:55
香川 香川県社会福祉総合センター(高松市) デジタルテントマップの格子点配置に対する動作解析
草野弘之山岡弘樹斎藤利通法政大NLP2015-7
テントマップを離散化することで格子点上で定義されるデジタルテントマップを得ることができる。テントマップは複雑なカオス軌道... [more] NLP2015-7
pp.27-32
LOIS 2015-03-05
13:40
沖縄 沖縄科学技術大学院大学 分電盤電流波形の解析による過渡状態にある機器群の電力を推定する手法の提案
石山文彦渡辺俊雄井上洋思大山 孝NTTLOIS2014-70
家庭内の機器の電流波形の総和となる分電盤の電流波形より、各機器の電力を推定する手法を提案する。提案手法の特徴は、各機器の... [more] LOIS2014-70
pp.55-60
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
NLP 2013-10-29
11:15
香川 サンポートホール高松 [招待講演]トラフィックダイナミクスに基づくネットワーク自己組織化
青木高明香川大NLP2013-97
ネットワークを介した物質や情報・ヒトなどの流れを理解することは,大規模ネットワークシステムの設計・運用のため不可欠である... [more] NLP2013-97
pp.143-146
DC, CPSY
(併催)
2013-08-01
18:00
福岡 北九州国際会議場 レジスタ多重化による耐過渡故障高信頼プロセッサの評価
緑川直樹小山善史首都大東京)・新井雅之日大)・福本 聡首都大東京DC2013-20
近年,様々なアーキテクチャを前提に過渡故障に対するプロセッサの高信頼設計手法が提案されている.本研究では,そのような過渡... [more] DC2013-20
pp.21-25
EE, IEE-SPC
(連催)
WPT
(併催) [詳細]
2013-07-26
14:00
東京 機械振興会館 基準値修正モデルを用いたDC-DCコンバータの過渡特性の改善について
廣滝翔太黒川不二雄長崎大EE2013-15
著者らは,既に静的モデルを用いたDC-DCコンバータについて報告している.この方式では,過渡特性の改善に限界が生じていた... [more] EE2013-15
pp.73-77
NS, IN
(併催)
2013-03-07
11:50
沖縄 残波岬ロイヤルホテル マルチホップ無線環境における通信安定化のためのパケット転送順序制御手法の性能評価
亀山健太郎古閑宏幸北九州市大)・嶋村昌義東工大)・福田 豊池永全志九工大NS2012-182
近年,アクセスポイント間を無線で接続するマルチホップ無線ネットワークが注目されている.このマルチホップ無線ネットワークに... [more] NS2012-182
pp.101-106
EE, CPM
(共催)
2013-01-24
17:25
熊本 阿蘇ファームランド 双方向DC-DCコンバータのシームレスな動特性モデル
今村泰隆梁 時熏庄山正仁九大EE2012-42 CPM2012-164
近年、自動車の動力源の電動化や再生可能エネルギーによる発電システムの開発に伴い、双方向DC-DCコンバータが注目されてい... [more] EE2012-42 CPM2012-164
pp.81-86
SANE 2012-12-14
15:40
埼玉 日本工業大学 追尾フィルタの初期値算出方法
小菅義夫長崎大SANE2012-124
目標からの三次元の位置観測値をもとに,目標の位置・速度などの真値を推定する追尾フィルタの初期値算出方法について述べる.例... [more] SANE2012-124
pp.25-30
EE 2012-01-25
11:35
長崎 長崎大学 ヒステリシス制御を用いたディジタル・アナログハイブリッド制御コンバータ
服部史門寺師靖洋黒木貴幸鍋島 隆佐藤輝被西嶋仁浩大分大EE2011-35
本論文は、通信の容易さや柔軟な制御性を持つディジタル制御方式と、速応性に優れたヒステリシス制御方式を組み合わせたディジタ... [more] EE2011-35
pp.25-29
EE, IEE-HCA
(連催)
2011-05-27
13:00
東京 機械振興会館 ディジタルオフセット制御DC-DCコンバータ
黒木貴幸佐藤輝被西嶋仁浩鍋島 隆大分大EE2011-1
本論文では,スイッチングDC-DCコンバータの定常偏差を低減することを目的に,簡単でなおかつコードサイズが小さい新しいア... [more] EE2011-1
pp.23-28
NLP 2010-12-13
11:00
鳥取 米子コンベンションセンター 全結合確率ネットワーク表現によるディレイ・ロック・ループの解析
永田啓介藤坂尚登神尾武司生岩量久広島市大NLP2010-115
J + 1 ユーザの同時通信を想定したDS/CDMA において,遅延ロックループ(DLL)のモデルとして2^{J+1}サ... [more] NLP2010-115
pp.21-26
NLP, CAS
(共催)
2010-08-03
09:00
徳島 鳴門教育大学 電力系統の安定性を説明する機械的立体(野田)モデルの実験的検証
大曲祐子舟木 剛阪大CAS2010-47 NLP2010-63
 [more] CAS2010-47 NLP2010-63
pp.73-78
EE 2009-10-09
10:30
東京 機械振興会館 固定周波数で動作するヒステリシス制御降圧形コンバータ
谷口貴一郎佐藤輝被鍋島 隆西嶋仁浩大分大EE2009-20
近年,出力電圧の過渡応答特性を改善するため,高速応答可能なヒステリシス制御が用いられている.本稿では,固定周波数で動作す... [more] EE2009-20
pp.7-11
SDM 2009-06-19
13:40
東京 東京大学(生産研An棟) HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
今庄秀人Hyun LeeDong-Hun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大SDM2009-34
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶... [more] SDM2009-34
pp.45-50
SDM 2008-12-05
16:10
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価
今庄秀人Hyun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大SDM2008-195
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている.しかし、C-V特性,リーク電流など... [more] SDM2008-195
pp.59-64
 26件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会