| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| ED | 2012-12-17 13:00 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2012-93 |
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして，InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] | ED2012-93 pp.1-6 |
| ED | 2011-12-14 13:40 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ～ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ～ ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2011-101 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] | ED2011-101 pp.7-12 |
| ED | 2010-12-17 11:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2010-168 |
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の... [more] | ED2010-168 pp.59-64 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-23 09:40 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | gm/ID Lookup Table法に基づくOTAの最適化設計 ～ Settling Timeを考慮した全体最適化手法 ～ ○樫村 透・小西貴之・桝井昇一（東北大） ICD2010-31 |
スケーリングが進んだアナログ回路に対して有効な設計手法として、gm/ID Lookup table法が提案されている。こ... [more] | ICD2010-31 pp.61-66 |
| ICD | 2009-12-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［ポスター講演］gm/Id法を用いた高速・高利得OTAの最適化設計 ○小西貴之・桝井昇一（東北大） ICD2009-84 |
微細CMOSにおいても高速・高利得なgain-boosted folded-cascode OTA向けの、$g_m/I_... [more] | ICD2009-84 pp.43-48 |
| CAS, CS, SIP (共催) |
2009-03-03 13:10 |
岐阜 | 岐阜長良川温泉国際会議場 | ［ポスター講演］DVCCとOTAによる一次全域通過回路の合成 ○築谷隆雄・恒次秀起（松江高専）・鷲見育亮（鳥取環境大）・藪木 登（津山高専） CAS2008-129 SIP2008-192 CS2008-103 |
本報告は，DVCCとOTAによる一次全域通過回路の合成について検討している．提案回路は，1個のDVCCと1個のOTA，お... [more] | CAS2008-129 SIP2008-192 CS2008-103 pp.159-164 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| VLD | 2008-09-30 15:00 |
石川 | 金沢商工会議所会館 | 可変線形トランスコンダクタンスOTA ○池本真樹・範 公可（電通大） VLD2008-59 |
本稿では， 高い信号線形性を有する， 可変相互コンダクタンスOTA回路を提案する． 0.18$\mu$mCMOSプ... [more] |
VLD2008-59 pp.71-74 |
| SDM | 2008-06-10 09:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大） SDM2008-48 |
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] | SDM2008-48 pp.35-39 |
| CS, SIP, CAS (共催) |
2008-03-07 13:00 |
山口 | 山口大学 常盤キャンパス | ［ポスター講演］演算トランスコンダクタンス増幅器によるマルチモードバイカッド回路の合成 ○川上裕己・築谷隆雄（松江高専）・鷲見育亮（鳥取環境大）・藪木 登（津山高専） CAS2007-141 SIP2007-216 CS2007-106 |
本報告は，OTAと接地キャパシタによるマルチモ－ドのバイカッド回路の合成について検討している．損失積分器と無損失積分器に... [more] | CAS2007-141 SIP2007-216 CS2007-106 pp.85-90 |
| ED | 2007-11-27 13:55 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-188 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2007-188 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） |
ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特... [more] | ED2004-221 MW2004-228 pp.53-58 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]