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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD, R (共催) |
2021-02-12 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］電子デバイスに対する信頼性物理の諸課題 ～ 物理的に解明が必要な故障メカニズム ～ ○門田 靖（リコー）  R2020-37 EMD2020-28 |
半導体デバイスをはじめ電子デバイスの多くは，市場の様々な分野・用途で使われている．現在市場で発生している電子デバイスの故... [more] | R2020-37 EMD2020-28 pp.19-24 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 13:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC ○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋 潤・北地祐子（ルネサス システムデザイン）・島崎靖久・原 博隆・入田隆宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2016-64 ICD2016-32 |
本稿では，機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて... [more] | SDM2016-64 ICD2016-32 pp.105-110 |
| SDM | 2010-02-05 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） SDM2009-192 |
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-... [more] | SDM2009-192 pp.59-63 |
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