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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大）  SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| R | 2013-11-14 15:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 温度サイクル環境起因のSnウィスカ成長一考察 ○伊藤貞則（イトケン事務所） R2013-77 |
温度サイクル環境起因のＳｎウィスカは一般にカール状に成長するため直線長さは短いが，条件に よっては真直ぐに長く伸びて極... [more] |
R2013-77 pp.17-20 |
| SDM | 2013-06-18 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-46 |
現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more] | SDM2013-46 pp.13-18 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| SDM | 2013-06-18 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC酸化メカニズム解明への試み ～ Si酸化との共通点/異なる点 ～ ○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大） SDM2013-62 |
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには，SiC酸化メカニズムのより一層の理解が... [more] | SDM2013-62 pp.91-96 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2009-06-19 10:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ～ SiO2/Siとの違い ～ ○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明（早大） SDM2009-27 |
GeとOの任意の混在系を再現する原子間相互作用モデルを開発し、この相互作用モデルを用いた分子動力学シミュレーションでGe... [more] | SDM2009-27 pp.3-8 |
| OPE | 2008-12-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加 ○大崎龍介・石川靖彦（東大）・山下善文・上浦洋一（岡山大）・和田一実（東大） OPE2008-138 |
希土類元素であるErをドープしたSiは、光通信波長の1.5μm帯で発光するため、シリコンフォトニクスにおける発光材料とし... [more] | OPE2008-138 pp.11-16 |
| SDM | 2007-10-05 14:00 |
宮城 | 東北大学 | SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 ○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大） SDM2007-188 |
本研究では、SBSIプロセスによる均一なSOI/BOX層の作製を目的として、SiGe選択エッチング時におけるSi層へのダ... [more] | SDM2007-188 pp.49-52 |
| ED | 2006-08-04 10:15 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | 酸化鉄ウィカーの成長とそれを用いた電子源 ○岡田守弘（静岡大/新日鐵）・根尾陽一郎（静岡大）・松本貴裕（スタンレー電気）・久保村健二（金沢工大）・三村秀典（静岡大） |
鋼板を大気中で炎で熱酸化させるという簡便な方法で、鋼板表面に直径３０～２００nm、アスペクト比１０００程度の新規な形状の... [more] | ED2006-130 pp.63-65 |
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