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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-11-11
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~
末岡浩治岡山県立大SDM2016-87
最近10年間において,半導体シリコン(Si)結晶中の真性点欠陥,すなわち原子空孔(V)と自己格子間原子(I)の物性や挙動... [more] SDM2016-87
pp.49-54
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ
五十嵐満彦植村俊文森 涼岸部浩司谷口正明若原康平齋藤俊治藤ヶ谷誠希福岡一樹新居浩二片岡 健服部俊洋ルネサス エレクトロニクスSDM2014-64 ICD2014-33
本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクタ-コア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネー... [more] SDM2014-64 ICD2014-33
pp.11-16
SDM 2007-12-14
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
古川弘和東 清一郎岡田竜弥加久博隆村上秀樹宮崎誠一広島大SDM2007-228
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] SDM2007-228
pp.27-29
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