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 32件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:05
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化
岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー琉球大)・梶原隆司佐道泰造九大)・野口 隆琉球大SDM2023-8 OME2023-8
安価な絶縁基板上への高結晶性InSb膜の形成に向けて、ArガスおよびNeガスを用いたRFスパッタリング法により製膜したI... [more] SDM2023-8 OME2023-8
pp.30-31
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:30
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
スパッタ堆積InSb薄膜/ガラス基板の急速熱処理法による結晶成長
梶原隆司九大)・岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー野口 隆琉球大)・佐道泰造九大SDM2023-9 OME2023-9
高移動度InSb薄膜の低コストな形成プロセスの創出を目指し、ガラス基板上へArプラズマを用いてスパッタ成膜したInSb膜... [more] SDM2023-9 OME2023-9
pp.32-33
OME 2022-12-19
16:10
東京 東京理科大学葛飾キャンパス フッ素ドープB型炭酸アパタイト系固体電解質の導電特性と熱安定性
赤松 怜田中優実東京理科大OME2022-49
フッ素ドープ系B型炭酸アパタイト(FCA; (Ca10-x Na2x/3)[(PO4)6-x(CO3)x][(OH)2-... [more] OME2022-49
pp.30-32
CPM 2018-08-10
11:05
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典千田陽介増田悠右氏家夏樹遠田義晴弘前大CPM2018-18
20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] CPM2018-18
pp.47-52
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-26
09:00
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 溶液合成法により作製したZnS:Cu分散型EL素子
上田祥平田中聡士猿田航己石垣 雅大観光徳鳥取大EID2017-37
分散型無機EL素子の発光特性を改善すべく、ZnS:Cuナノ粒子の溶液合成におけるCuの高濃度付活、ならびに同ナノ粒子の熱... [more] EID2017-37
pp.49-52
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:00
愛知 豊橋技科大VBL棟 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成
岸 直希岩田鷹明岩間一樹包 建峰劉 会濤曽我哲夫名工大ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラ... [more] ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価
塩島謙次山本晋吾木原雄平福井大ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119
金属/半導体界面の電気的特性を二次元評価できる界面顕微光応答法を開発し、Au /Ni / n-GaNショットキー接触の熱... [more] ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119
pp.85-90
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-11-25
16:10
東京 早稲田大学 急速加熱処理による合成鉄白金ナノ粒子配列膜の規則化過程
相川健一郎藤平誉樹蜂巣琢磨杉山敦史逢坂哲彌早大)・山根 明坂脇 彰茂 智雄昭和電工MR2014-27
我々は,予め化学合成した数ナノメートル径の鉄白金(FePt)ナノ粒子を用いたビットパターンメディア向けの記録層作製プロセ... [more] MR2014-27
pp.23-28
SDM 2013-06-18
16:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
渡部平司チャンタパン アタウット阪大)・中野佑紀中村 孝ローム)・細井卓治志村考功阪大SDM2013-61
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に,その改... [more] SDM2013-61
pp.87-90
OME, SDM
(共催)
2013-04-26
09:10
鹿児島 屋久島環境文化村センター [招待講演]有機EL、有機太陽電池の創製と解析
梶 弘典京大SDM2013-9 OME2013-9
1) ポリチオフェン-PC61BMからなるバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池(BHJ OSCs)において、熱処理により光電変... [more] SDM2013-9 OME2013-9
pp.43-48
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
Takuji HosoiTakashi KirinoYusuke UenishiDaisuke IkeguchiAtthawut ChanthaphanOsaka Univ.)・Akitaka YoshigoeYuden TeraokaJAEA)・Shuhei MitaniYuki NakanoTakashi NakamuraROHM)・Takayoshi ShimuraHeiji WatanabeOsaka Univ.
 [more]
SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-48
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
16:45
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ga2O3酸素センサの作製と評価
以西雅章山本貴弘鳥井琢磨静岡大ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27
pp.39-42
SDM 2011-12-16
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果
紺谷拓哉谷口真央堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2011-132
硫化亜鉛(ZnS)等の?-?族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.スク... [more] SDM2011-132
pp.1-5
SDM 2011-07-04
15:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制
大嶽祐輝有村拓晃佐伯雅之力石薫介北野尚武細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2011-65
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] SDM2011-65
pp.87-92
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
16:40
愛知 名古屋大学 VBL B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
伊藤 駿竹田健一郎永田賢吾青島宏樹竹原孝祐岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29
pp.77-81
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
13:25
愛知 名古屋大学 VBL Ga2O3酸素センサの作製と評価
山本貴弘茅野真也池田紘基鈴木嘉文以西雅章静岡大ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40
pp.135-138
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:15
高知 高知工科大学 研究教育棟B 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
堀口昌吾紺谷拓哉堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・浦岡行治奈良先端大/JSTEID2010-29
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.... [more] EID2010-29
pp.33-36
OME, OPE
(共催)
2010-11-12
13:50
東京 機械振興会館地下3階2号室 TPD蒸着膜の熱重合による正孔輸送層の形成
室山雅和市田杏子田尻亜弥子加藤大智田中邦明乙木栄志・○臼井博明東京農工大OME2010-56 OPE2010-126
テトラフェニルジアミノビフェニルのジビニル誘導体DvTPDを蒸着し,引き続き加熱することによって重合膜を形成した.200... [more] OME2010-56 OPE2010-126
pp.7-12
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