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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察 ○岡田健治（パナソニック・タワージャズセミコンダクター）  R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 |
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] | R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 pp.29-34 |
| SDM | 2011-02-07 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 ○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック） SDM2010-226 |
ELK（Extremely Low-k, k=2.4）を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は... [more] | SDM2010-226 pp.59-63 |
| SDM | 2010-02-05 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） SDM2009-192 |
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-... [more] | SDM2009-192 pp.59-63 |
| SDM | 2009-10-30 13:00 |
宮城 | 東北大学 | SiO2膜におけるRIEダメージの修復 ○川田宣仁・永嶋賢史・市川 徹・赤堀浩史（東芝） SDM2009-129 |
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE（Reactive Ion Etching）ダメージの影響がよ... [more] | SDM2009-129 pp.51-56 |
| SDM | 2009-10-30 14:00 |
宮城 | 東北大学 | 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 ○永島幸延・赤堀浩史（東芝） SDM2009-131 |
現在、MOSトランジスタにおいて、微細化が進むにつれて低抵抗電極材として、メタルゲートの利用が注目されている。メタルゲー... [more] | SDM2009-131 pp.63-67 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 16:10 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル ○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ） R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 |
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊（Time-Dependent Dielectric Breakdow... [more] | R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 pp.39-44 |
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