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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2022-12-08 13:55 |
愛媛 | 愛媛大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転 ○潘 達・曹 哲・大島大輝・加藤剛志（名大）  MRIS2022-19 |
3次元磁気メモリ素子開発を目指し，垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した． Ruを介して人工積層フェリ磁性（S... [more] | MRIS2022-19 pp.7-10 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2019-10-17 13:00 |
福岡 | 九州大学 (西新プラザ) | 希土類磁性体を用いた無磁場中スピンオービットトルク磁化反転 ○若江将和・伊藤正裕・黒川雄一郎・大西紘平・湯浅裕美（九大） MRIS2019-15 |
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM : Magnetic Random Access Memory)は不揮発かつ高速動... [more] | MRIS2019-15 pp.1-5 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2019-10-18 14:00 |
福岡 | 九州大学 (西新プラザ) | 層間結合した強磁性多層膜における非線形スピンダイナミクスの観測 ○屋冨祖 稔・宮崎圭司・木村 崇（九大） MRIS2019-36 |
複数の磁性層を持つ磁性多層膜において、マイクロ波を照射すると、各磁性層の共鳴状態に対応した磁化の歳差運動が励起される。こ... [more] | MRIS2019-36 pp.117-118 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-06-09 16:35 |
宮城 | 東北大学 | ［招待講演］磁気スキルミオンのデバイス機能とダイナミクス ○望月維人（青学大） MR2016-7 |
キラルな結晶構造を持つ磁性体中に発現する「スキルミオン」と呼ばれる渦上の磁気テクスチャは，(1) ナノスケールの極小サイ... [more] | MR2016-7 pp.39-44 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-10-22 13:55 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | 巨大磁気抵抗効果を用いたスピン流アシスト効果の検出 ○高橋真央・能崎幸雄（慶大） MR2015-16 |
強磁性体/非磁性体/強磁性体の擬スピンバルブ3層膜において、一方の強磁性体が共鳴する周波数のマイクロ波を印加してスピンポ... [more] | MR2015-16 pp.7-10 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| ICD | 2013-04-11 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies ○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ICD2013-5 |
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては，性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており，低消費電力かつ高... [more] | ICD2013-5 pp.21-26 |
| ICD | 2012-12-17 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） ICD2012-90 |
本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景... [more] | ICD2012-90 pp.17-20 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2012-01-20 09:00 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | 超高精細スピン注入型空間光変調素子の光変調特性 ○町田賢司・船橋信彦・青島賢一・加藤大典・久我 敦・菊池 宏（NHK）・石橋隆幸（長岡技科大）・清水直樹（NHK） MR2011-37 |
視域角の広い電子ホログラフィーの実現を目指し，サブミクロン磁性体に電流を流すことによって高速スイッチングが可能なスピン注... [more] | MR2011-37 pp.41-46 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-11-18 15:30 |
東京 | 早稲田大学 | スピントルク発振素子の再生ヘッド応用 ○永澤鶴美・首藤浩文・工藤 究・楊 涛・水島公一・佐藤利江（東芝） MR2011-22 |
記録密度２Tb/in2以上のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）では，再生ヘッドのスピントルクノイズや熱揺らぎノイズの増大に... [more] | MR2011-22 pp.21-25 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-07-15 16:45 |
東京 | 中央大学 後楽園キャンパス | 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン ○高岸雅幸・岩崎仁志・橋本 進（東芝） MR2011-7 |
記録密度2Tb/in2 to 5Tb/in2のハードディスクドライブ（HDD）で使用可能な再生素子のパフォーマンスをスピ... [more] | MR2011-7 pp.49-53 |
| SDM | 2010-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） SDM2010-173 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続... [more] | SDM2010-173 pp.11-15 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-14 16:15 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製 ○大宮翔吾・吉村 哲・江川元太・斉藤 準（秋田大） MR2010-27 |
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。 本薄膜をスピ... [more] |
MR2010-27 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 14:35 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 ○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭（東芝） SDM2010-147 ICD2010-62 |
スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET（Spin-transfer-Torque Switching ... [more] | SDM2010-147 ICD2010-62 pp.125-129 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2010-06-10 14:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性 ○高岸雅幸・山田健一郎・岩崎仁志・福家ひろみ・橋本 進（東芝） MR2010-2 |
平方インチあたり２テラビット（2Tb/in2）から５テラビット（5Tb/in2）の記録密度のハードディスク（ＨＤＤ）を実... [more] | MR2010-2 pp.13-19 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-08 13:55 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM) ○高橋宏昌・伊藤顕知・早川 純・三浦勝哉・山本浩之・山ノ内路彦・小埜和夫・竹村理一郎・河原尊之（日立）・佐々木龍太郎（東北大）・長谷川晴弘（東北大/日立）・池田正二（東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） |
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more] | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
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