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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2019-12-20 13:00 |
佐賀 | アバンセ（佐賀市：佐賀駅徒歩10分） | 無電解金めっきナノギャップ電極を用いた炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6単一分子の単電子トランジスタ ○入江力也・Chun Ouyang・居藤悠馬・Phan Trong Tue（東工大）・辻 勇人（神奈川大）・中村栄一（東大）・真島 豊（東工大）  OME2019-37 |
分子デバイスは50年以上に亘り研究されてきたが、単一分子への電気接続を可能とする微細加工技術の難しさ等により実用化には至... [more] | OME2019-37 pp.9-12 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 10:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | レジスト溝内に選択配置して作製した金ナノ粒子配列での単一電子帯電効果 ○松本和彦・森林 誠・谷貝知起・守屋雅隆・島田 宏（電通大）・木村康男（東京工科大）・平野愛弓（東北大）・廣瀬文彦（山形大）・水柿義直（電通大） ED2017-106 SDM2017-106 |
金ナノ粒子を島電極とした単一電子素子の作製が広く行われているが、金ナノ粒子の位置制御に困難さがある。レジスト溝を用いて金... [more] | ED2017-106 SDM2017-106 pp.11-14 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 12:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 ○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦（阪大） ED2009-211 SDM2009-208 |
トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。... [more] | ED2009-211 SDM2009-208 pp.87-91 |
| OME | 2006-07-27 13:55 |
神奈川 | パシフィコ横浜 | 有機単一電子トランジスタの作製 ○野口 裕・久保田 徹・上門敏也・上田里永子・益子信郎（NICT） |
有機分子をクーロン島とした単一電子トランジスタ(有機SET)を試作した。素子はエレクトロマイグレーション法により作製した... [more] | OME2006-55 pp.27-31 |
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