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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大）  SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| PN | 2023-03-02 09:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館 講座室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiリッチSiN導波路の広帯域多波長一括波長変換器への適用可能性の検討 ○石原勇輝・丸田章博・三科 健（阪大） PN2022-53 |
従来のC帯の光送受信器を用いてS帯やL帯の光信号を生成する技術として，波長分割多重された光信号を光のままで一括して波長変... [more] | PN2022-53 pp.56-61 |
| ITE-BCT, OCS, IEE-CMN, OFT (連催) ※学会内は併催 |
2022-11-11 14:50 |
宮城 | フォレスト仙台 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
シリコンリッチ窒化シリコン導波路を用いた全光PAM4/QPSK変換およびPAM4/16QAM変換 ○藤原侑斗・三科 健・末吉 旭・丸田章博（阪大） OCS2022-48 |
変調フォーマットが異なるネットワークを低遅延で効率よく接続するための技術として，光領域で処理を行う全光変調フォーマット変... [more] | OCS2022-48 pp.46-51 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 ○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大） ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] | ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 pp.13-16 |
| SDM | 2021-10-21 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大） SDM2021-44 |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] | SDM2021-44 pp.1-4 |
| EMT, MWP, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2021-01-21 15:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］窒化シリコンマイクロリング共振器を用いたKerr周波数コム発生とモード間隔周波数測定 ○古澤健太郎・関根徳彦・笠松章史（NICT） PN2020-38 EMT2020-56 MWP2020-39 |
連続波狭線幅レーザで励起された高 Q 値微小共振器において発生する Kerr 周波数コムは、従来は困 難であった 100... [more] | PN2020-38 EMT2020-56 MWP2020-39 pp.46-49 |
| MWP, PN, EMT (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2020-01-30 14:55 |
京都 | 同志社大学 | Si3N4導波路を用いた自己位相変調に基づく非線形光デバイスの基礎的検討 ○高橋考二・石原大輝・海堀祐太（阪大）・井上 卓（浜松ホトニクス）・小西 毅（阪大） PN2019-42 EMT2019-82 MWP2019-56 |
窒化シリコン導波路は，シリコン導波路における二光子吸収の影響を抑制する新しいアプローチとして期待されている．本研究では，... [more] | PN2019-42 EMT2019-82 MWP2019-56 pp.45-48 |
| OCS, LQE, OPE (共催) |
2019-10-17 15:00 |
鹿児島 | サンプラザ天文館（鹿児島） | 1.3 µm帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析 ○横村優太・御手洗拓矢・雨宮智宏・西山伸彦（東工大） OCS2019-35 OPE2019-73 LQE2019-51 |
温調制御の必要性と波長間隔の制限を受けてしまう従来のWDMシステムの問題点を克服するために、グリッドフリーな新しいWDM... [more] | OCS2019-35 OPE2019-73 LQE2019-51 pp.45-48 |
| CPM | 2019-08-26 15:50 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大） CPM2019-42 |
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] | CPM2019-42 pp.23-28 |
| CPM | 2018-08-09 14:50 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴（弘前大） CPM2018-9 |
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] | CPM2018-9 pp.7-12 |
| CPM | 2018-08-09 15:10 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹（弘前大） CPM2018-10 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | CPM2018-10 pp.13-16 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-08-31 13:55 |
青森 | 弘前文化センター | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 ○奈良友奎・成田舜基・中澤日出樹（弘前大） R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 pp.7-10 |
| CPM | 2015-11-06 15:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-89 |
我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得... [more] | CPM2015-89 pp.27-30 |
| CPM | 2015-08-10 13:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹（弘前大） CPM2015-31 |
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] | CPM2015-31 pp.1-5 |
| CPM | 2015-08-10 14:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-33 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] | CPM2015-33 pp.11-14 |
| CPM | 2015-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響 ○高見貴弘・和田 誠・遠田義晴（弘前大） CPM2015-45 |
特定の条件下で形成されたシリコン酸窒化膜（SiON膜）において、X線光電子分光の内殻準位スペクトルの化学シフトピーク位置... [more] | CPM2015-45 pp.71-74 |
| SCE | 2014-10-15 14:30 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 導波路結合型超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の作製と評価 ○和木健太朗（阪大/NICT）・山下太郎（NICT）・井上振一郎（NICT/JST）・三木茂人・寺井弘高（NICT）・生田力三・山本 俊・井元信之（阪大） SCE2014-37 |
近年，様々な光学部品をワンチップに集約するモノリシック集積回路が注目されているが，そのキーデバイスとして導波路結合型超伝... [more] | SCE2014-37 pp.17-21 |
| CPM | 2014-09-04 13:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大） CPM2014-76 |
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] | CPM2014-76 pp.7-12 |
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