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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大）  CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| CPM | 2019-08-26 15:50 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大） CPM2019-42 |
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] | CPM2019-42 pp.23-28 |
| CPM | 2018-08-09 14:50 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴（弘前大） CPM2018-9 |
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] | CPM2018-9 pp.7-12 |
| CPM | 2018-08-09 15:10 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹（弘前大） CPM2018-10 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | CPM2018-10 pp.13-16 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-08-31 13:55 |
青森 | 弘前文化センター | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 ○奈良友奎・成田舜基・中澤日出樹（弘前大） R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 pp.7-10 |
| SDM | 2016-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 ○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立） SDM2016-80 |
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] | SDM2016-80 pp.9-14 |
| CPM | 2015-08-10 13:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹（弘前大） CPM2015-31 |
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] | CPM2015-31 pp.1-5 |
| CPM | 2015-08-10 14:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-33 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] | CPM2015-33 pp.11-14 |
| US | 2014-12-15 13:30 |
東京 | 東京工業大学 すずかけ台キャンパス | ダイヤモンド焼結体の超音波研磨加工に関する基礎的研究 渡辺健志・後藤隆司（日進工具）・○神 雅彦（日本工大） US2014-65 |
ダイヤモンド焼結体（PCD）製エンドミルは，超硬合金やSiCセラミックスなどの超高硬度の金型や機械部品を精密かつ高能率に... [more] | US2014-65 pp.1-4 |
| CPM | 2014-09-04 13:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大） CPM2014-76 |
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] | CPM2014-76 pp.7-12 |
| SDM | 2013-12-13 17:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 ○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-134 |
三フッ化塩素を用いてプラズマレスで4°オフ角の炭化珪素ウエーハを化学的にエッチングした。 (0001)Si面および(00... [more] | SDM2013-134 pp.107-112 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| EMCJ | 2009-04-24 13:55 |
岡山 | 岡山大学 | ノイズ低減効果モデルとしての電磁波吸収体を装荷した平面アンテナの特性解析 ○石垣 要・安斎弘樹（鶴岡高専） EMCJ2009-3 |
現在普及が進んでいるデジタルハイビジョンテレビ等のビデオチップや回路周辺からは，電磁波ノイズが発生しており，他の機器の回... [more] | EMCJ2009-3 pp.13-18 |
| SDM | 2008-12-05 14:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 ○南園悠一郎・吉岡裕典・登尾正人・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2008-191 |
パワーデバイス用半導体材料として期待されているシリコンカーバイド (SiC)を用いて，立体ゲート構造MOSFETを作製し... [more] | SDM2008-191 pp.37-41 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 13:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application ○Jae-Kwon Kim・Kyunghwan Kim・Jinwook Burn（Sogang Univ.） ED2008-99 SDM2008-118 |
Silicon-carbide (SiC) devices have received increased attent... [more] | ED2008-99 SDM2008-118 pp.313-316 |
| SDM | 2007-12-14 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード ○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2007-233 |
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] | SDM2007-233 pp.47-50 |
| CPM | 2007-11-17 09:50 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 ○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志（長岡技科大） CPM2007-117 |
高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)C... [more] | CPM2007-117 pp.65-68 |
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