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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFE... [more] | ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 pp.11-14 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2023-06-08 15:50 |
宮城 | 東北大（通研） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Co酸化物添加ターゲット材からの酸素欠損補填スパッタリングによるCoPtCr-酸化物グラニュラ型磁気テープの開発 ○立花淳一・小林弘幸・齋 輝夫・相澤隆嗣（ソニーストレージメディアソリューションズ）・斉藤 伸（東北大） MRIS2023-4 |
スパッタテープのノイズ低減を目的として，ロール・トゥ・ロール式スパッタリング装置によるグラニュラ記録層の成膜において，C... [more] | MRIS2023-4 pp.21-26 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| SDM | 2022-02-04 10:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低温焼結塗布型シリカを用いた印刷エレクトロニクス ○三成剛生（物質・材料研究機構）・孫 晴晴（鄭州大）・李 玲穎（物質・材料研究機構）・李 万里（江南大）・劉 旭影（鄭州大） SDM2021-76 |
金属インクを塗布・印刷することで配線や電子素子を形成するプリンテッドエレクトロニクスは，フレキシブル基板上に低温・低コス... [more] | SDM2021-76 pp.9-12 |
| SDM | 2021-11-12 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化 ○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大） SDM2021-60 |
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] | SDM2021-60 pp.38-42 |
| SCE | 2021-01-19 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 超伝導転移端型ガンマ線マイクロカロリメータの多画素化に適した三層メンブレンの熱コンダクタンスの評価 ○菊地貴大・神代 暁・早川亮大・藤井 剛・平山文紀・浮辺雅宏（産総研）・ライアン スミス・大野雅史（東大） SCE2020-18 |
我々はガンマ線を高いエネルギー分解能で検出することのできる超伝導転移端型マイクロカロリメータ（ Transition E... [more] | SCE2020-18 pp.7-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 14:00 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］NH3雰囲気で合成したLaSiO2N:Eu赤色蛍光体の励起・発光特性 ○木下 顕・川島美沙・早馬拓哉・石垣 雅（鳥取大）・國本 崇（徳島文理大）・大観光徳（鳥取大） EID2019-9 |
赤色蛍光体LaSiO2N:EuをNH3雰囲気で合成した. 合成試料からEu3+特有の赤色発光と近紫外領域にブロードなCT... [more] | EID2019-9 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-17 16:20 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 光導波路のパッシベーションのためのゾルゲルSiO2層表面の改善検討 ○小川 慧・アマッド シャハリン イドリス・韓 瑜・姜 海松・浜本貴一（九大） PN2018-53 EMT2018-87 OPE2018-162 LQE2018-172 EST2018-100 MWP2018-71 |
ゾルゲル法で成膜するSiO2膜の光導波路のパッシベーションを検討している。イオン注入や電極取り付けに必要なウェットエッチ... [more] | PN2018-53 EMT2018-87 OPE2018-162 LQE2018-172 EST2018-100 MWP2018-71 pp.127-130 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 ○今井貴大・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93 |
ゼオライトはイオン吸着剤として工業的に広く利用されている。我々は室温原子層堆積法を用いてAl2O3とSiO2を人工的に複... [more] | ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93 pp.97-101 |
| SDM | 2016-06-29 14:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2016-40 |
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] | SDM2016-40 pp.43-47 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| SDM | 2015-06-19 11:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-43 |
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] | SDM2015-43 pp.27-30 |
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