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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H... [more] EID2017-12 SDM2017-73
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1... [more] EID2017-13 SDM2017-74
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都 京都大学 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A... [more] EID2017-14 SDM2017-75
pp.13-16
SDM 2013-10-17
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]SiCパワーデバイスの開発動向
四戸 孝東芝SDM2013-88
SiCパワーデバイスの研究開発は、市場規模の大きなハイブリッド自動車のモータドライブや太陽光発電のパワーコンディショナー... [more] SDM2013-88
pp.1-4
SDM 2011-12-16
10:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果
高上稔充矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2011-134
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] SDM2011-134
pp.11-15
SDM 2011-11-11
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題
石間伏 寿植田賢志長尾 勝濱田公守トヨタ自動車SDM2011-124
近年の自動車には地球環境への対応が求められている。その一つの取組みとして我々は多くのハイ
ブリッド車を市場導入している... [more]
SDM2011-124
pp.51-55
EE, IEE-SPC
(連催)
2011-07-28
13:25
北海道 釧路市生涯学習センター 配電系統を考慮したSiC搭載DC-DCコンバータ及びその制御回路
大間亮介譲原逸男高柳 敦京三製作所EE2011-7
次世代パワー半導体素子として注目されているSiCは,ダイオードに加え,MOSFETのリリースも開始された。今回,SiCの... [more] EE2011-7
pp.7-11
EE 2008-07-25
13:00
北海道 釧路市生涯学習センター [特別講演]パワーデバイス開発動向
四戸 孝東芝EE2008-28
インバータ家電からハイブリッド自動車、新幹線など多くのパワーエレクトロニクス応用機器に使われ、社会インフラを支える省エネ... [more] EE2008-28
pp.95-100
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
09:00
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]SiCパワートランジスタとそのDC/DCコンバータへの応用
北畠 真松下電器ED2008-71 SDM2008-90
 [more] ED2008-71 SDM2008-90
pp.165-169
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