お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 4件中 1~4件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, WPT
(共催)
2022-04-15
15:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較
森脇 淳,○原 信二名大WPT2022-10 MW2022-10
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] WPT2022-10 MW2022-10
pp.35-39
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:35
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善
白鳥悠太星 拓也井田 実松崎秀昭NTTED2017-96 MW2017-165
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT... [more] ED2017-96 MW2017-165
pp.15-18
SDM 2014-11-06
10:55
東京 機械振興会館 モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
岡本 稔清水 守大倉康幸山口 憲小池秀耀アドバンスソフトSDM2014-98
 [more] SDM2014-98
pp.13-18
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
14:15
京都 京都大学 SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究
岩崎天彦石川博康江川孝志名工大
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOC... [more] ED2006-155 CPM2006-92 LQE2006-59
pp.19-22
 4件中 1~4件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会