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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP
(第二種研究会)
2021-12-02
10:10
沖縄 宮古島市未来創造センター 多目的ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Siフォトニクスマイクロリング変調器を用いた電磁波可視化RoFシステム
李 リュウ村新井宏之馬場俊彦横浜国大
Siフォトニクスで製作するマイクロリング変調器(MRM)アレイを高周波プローブセンサアレイと接続した電磁波可視化Radi... [more]
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率
菊地健彦住友電工/東工大)・鈴木純一立花文人東工大)・井上尚子八木英樹住友電工)・Moataz Eissa御手洗拓矢雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45
III-V族半導体から成るアクティブ素子とSiフォトニクスのハイブリッド集積技術は,小型,高速かつ,低消費電力な次世代の... [more] OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45
pp.161-164
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-01-26
09:30
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 二光子吸収PDアレイ付きSiフォトニクス導波路を用いたオンチップ光相関計
近藤圭祐東工大/横浜国大)・馬場俊彦横浜国大PN2017-83 EMT2017-120 OPE2017-161 LQE2017-143 EST2017-119 MWP2017-96
二光子吸収フォトディテクタアレイと逆伝搬パルスを用いた完全オンチップ光相関計を報告する,提案デバイスはCMOSプロセスを... [more] PN2017-83 EMT2017-120 OPE2017-161 LQE2017-143 EST2017-119 MWP2017-96
pp.263-268
OPE 2017-12-07
15:00
沖縄 まりんぴあみやこ [記念講演]本格的光集積回路の実現を目指して
山田博仁東北大OPE2017-111
本格的な光集積回路の実現を目指して、化合物半導体基板のドライエッチング加工技術から、面発光素子、そしてSi細線光導波路と... [more] OPE2017-111
pp.111-114
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大SDM2015-124
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
14:25
青森 青森県観光物産館アスパム 広結合トレランスを有する小型Siフォトニクストランシーバ用光I/O構造
上村寿憲浮田明生竹村浩一栗原 充岡本大典牛田 淳屋敷健一郎蔵田和彦光電子融合基盤技研R2015-45 EMD2015-53 CPM2015-69 OPE2015-84 LQE2015-53
Si(シリコン)フォトニクスをベースとした超小型並列光モジュールである「光I/Oコア」に適用可能な光I/O構造を開発した... [more] R2015-45 EMD2015-53 CPM2015-69 OPE2015-84 LQE2015-53
pp.109-114
NS, OCS, PN
(併催)
2015-06-19
14:15
福井 福井市地域交流プラザ Siフォトニクス技術を応用した共通パッケージ「光I/Oコア」による5mW/Gbps動作と、25Gbps-300m MMF伝送
岡本大典屋敷健一郎鈴木康之小倉一郎蔵田和彦光電子融合基盤技研OCS2015-21
本報告ではSiフォトニクスの小型・低消費電力性をさまざまなアプリケーションに適用できる共通パッケージ「光I/Oコア」につ... [more] OCS2015-21
pp.55-58
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
14:25
北海道 小樽経済センター Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術
碓氷光男武田浩太郎平田泰興福田 浩土澤 泰西 英隆高 磊開 達郎本田健太郎野河正史山田浩治山本 剛NTTR2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し,はんだを使用せず,200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
pp.109-114
OCS, PN, NS
(併催)
2013-06-21
13:45
福島 日本大学工学部(郡山) 柔軟な入出力ポート数拡張性を有すSiフォトニクス適用高集積トランスポンダアグリゲータ光スイッチの開発
竹下仁士樋野智之中村 滋田島章雄NEC)・石井紀代来見田淳也並木 周産総研OCS2013-17
我々は、これまで、CDC-ROADMの小型大容量化を目的として、近年注目を浴びているSiフォトニクス技術を利用した高集積... [more] OCS2013-17
pp.37-42
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-27
16:35
大阪 大阪大学 Siフォトニクスによる可変遅延器と高速周期光パルス列発生器
信夫史弘有田与希玉貫岳正グェン ホン チュエン鈴木恵治郎石倉徳洋新川瑞季早川 涼馬場俊彦横浜国大PN2010-38 OPE2010-151 LQE2010-136
リングオールパスフィルター型スローライト可変遅延器を提案し,Siフォトニクス技術を用いて製作した.ヒーター加熱による遅延... [more] PN2010-38 OPE2010-151 LQE2010-136
pp.63-68
OPE 2010-12-17
17:30
東京 機械振興会館地下3階2号室 BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性
前田泰奈李 智恩渥美裕樹西山伸彦荒井滋久東工大OPE2010-141
LSIの性能律速となりつつあるLSI内電気グローバル配線を代替するために極低消費電力かつ小型な光配線への期待が高まってい... [more] OPE2010-141
pp.55-60
OPE 2008-12-19
15:45
東京 機械振興会館 Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子
大平和哉鈴木信夫江崎瑞仙東芝OPE2008-142
光配線用のSi導波路に集積したInGaAs MSM受光素子の提案および基本動作特性に関して報告する。本素子はSi導波路に... [more] OPE2008-142
pp.31-33
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