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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:00
静岡 静岡大学(浜松) リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した.TCADによる電界... [more] ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
pp.29-32
ED 2014-12-22
15:00
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2014-102
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては,ゲート長Lg の短縮に加えて,短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] ED2014-102
pp.21-26
ED 2012-12-17
13:00
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2012-93
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして,InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] ED2012-93
pp.1-6
SDM 2012-11-16
10:25
東京 機械振興会館 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討
佐藤大貴大村泰久関西大SDM2012-105
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低... [more] SDM2012-105
pp.31-36
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