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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| SDM | 2023-11-09 10:30 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］SISPAD 2023 レビュー ○田中 一（阪大） SDM2023-62 |
デバイス・プロセスシミュレーションを中心とした，半導体分野におけるモデリング・シミュレーション技術を扱う国際会議である2... [more] | SDM2023-62 pp.1-6 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2023-01-19 09:25 |
愛知 | 愛知・日間賀島 ホテル浦島 | ［依頼講演］フルオロベンゼン類を有する有機半導体の開発と薄膜デバイスへの応用 ○安田 剛（物質・材料研究機構）・桑原純平・神原貴樹（筑波大） OME2022-72 |
有機薄膜デバイスは、新規材料の開発により高効率の特性が得られているが、現状、高効率を示す材料の合成には、数多くの工程が必... [more] | OME2022-72 pp.37-40 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| US | 2021-07-30 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］プリンテッドエレクトロニクスを支えるナノレオロジー ○荒井俊人（東大） US2021-24 |
プリンテッドエレクトロニクスは、金属ナノ粒子や半導体分子などを分散・溶解させた液体を基材に塗布することで電子デバイスを製... [more] | US2021-24 pp.31-35 |
| SDM | 2018-11-08 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2018レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-64 |
2018 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2018-64 pp.1-6 |
| SDM | 2018-11-09 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］半導体技術にもとづくセンサーデバイス研究の動向 ～ SISPAD2017ワークショップ"Technologies for Sensor Device"レビューを中心に ～ ○宇野重康（立命館大） SDM2018-73 |
本講演では、2017年9月に開催された国際学会International Conference on Simulatio... [more] | SDM2018-73 pp.43-46 |
| SDM | 2017-11-09 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大） SDM2017-64 |
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC（炭化ケイ素）における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] | SDM2017-64 pp.15-20 |
| SDM | 2015-11-05 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 ○植松真司（慶大） SDM2015-84 |
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] | SDM2015-84 pp.1-6 |
| SDM | 2014-11-07 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2014 レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-103 |
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2014-103 pp.43-46 |
| OME | 2012-05-24 15:15 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | ［招待講演］印刷電子デバイス作製のための電極・配線形成技術 ～ 印刷RFIDタグ実現のための課題 ～ ○吉田 学（産総研） OME2012-26 |
フレキシブルエレクトロニクスを利用した商品イメージの代表的なものとして、印刷により作製したRFIDタグがあげられる。RF... [more] | OME2012-26 pp.35-40 |
| SDM | 2011-10-21 13:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 ○宮本 明・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・高羽洋充・小澤純夫（東北大） SDM2011-109 |
コンピュータの進歩とともに、永年実験的研究が主体であったもの造りの分野でも、新しい化学、コンピュータ化学が生まれてきてい... [more] | SDM2011-109 pp.67-72 |
| OME | 2011-09-22 16:35 |
大阪 | 大阪市中央公会堂 | シリカナノ粒子を分散した塗布型有機トランジスタのデバイス特性 ○吉川真史・永瀬 隆・山崎沙織・小林隆史（阪府大）・道脇良樹（扶桑化学）・渡瀬星児・渡辺 充・松川公洋（阪市工研）・内藤裕義（阪府大） OME2011-47 |
ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ (OFET) におけるゲート絶縁膜の表面処理は電界効果移動度を大きく増加させ... [more] | OME2011-47 pp.31-34 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ○早川泰弘・ムカンナン アリバナンドハン・ゴビンダサミー ラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木 徹・田中 昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA） ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 |
InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料... [more] | ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 pp.33-38 |
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