| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:15 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 ○大野泰夫・伊藤弘子・平岡知己（レーザーシステム）・東脇正高（阪公立大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] | ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 pp.21-24 |
| CPM | 2023-08-01 10:40 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
金属／GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次（福井大） CPM2023-21 |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属／GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] | CPM2023-21 pp.36-39 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機） ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] | ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 pp.63-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| SDM | 2021-11-12 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究 ○張 秦強・鈴木 研・三浦英生（東北大） SDM2021-64 |
提案されたダンベル型のグラフェンナノリボン(DS-GNR)構造における電子特性のひずみ誘起変化 は，第一原理計算を使用し... [more] | SDM2021-64 pp.60-65 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2021-08-06 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ショットキー障壁を用いた表面プラズモン共鳴の電気的検出 ○塚越拓哉（富山県立大）・菅 哲朗（電通大）・野田堅太郎・下山 勲（富山県立大） ED2021-11 |
表面プラズモン共鳴（SPR）を電流として検出する技術について紹介する．SPR はセンサなどに応用 され，微量分析の分野... [more] |
ED2021-11 pp.1-4 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・古田 守（高知工科大） EID2020-10 SDM2020-44 |
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] | EID2020-10 SDM2020-44 pp.37-41 |
| R | 2020-11-30 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 電位コントラスト法を用いた積層セラミックコンデンサの劣化解析 ○斎藤 彰（村田製作所） R2020-27 |
積層セラミックコンデンサ（MLCC）の小型化と薄層化により，高信頼性の維持が困難になりつつある．特に電極界面付近の影響が... [more] | R2020-27 pp.21-24 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| CPM | 2019-02-28 16:20 |
東京 | 電通大 | 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性 ○北田秀樹・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2018-111 |
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である．窒化... [more] | CPM2018-111 pp.45-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 pp.17-20 |
| SDM | 2018-10-18 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-59 |
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] | SDM2018-59 pp.35-40 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） ED2016-101 MW2016-177 |
本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] | ED2016-101 MW2016-177 pp.23-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] | ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 表面処理の影響 ～ ○塩島謙次・永縄 萌（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に（i）劈開のみ、（ii）H2O2による故意酸化、（... [more] | ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 pp.15-20 |
| OME | 2016-10-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大） OME2016-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価と... [more] | OME2016-38 pp.1-4 |
| WPT | 2016-03-08 09:50 |
京都 | 京都大学宇治キャンパス | GaNショットキーバリアダイオードを用いた数十W級大電力整流回路の開発 ○西村貴希・三谷友彦・篠原真毅（京大）・岡田政也・善積祐介・上野昌紀（住友電工） WPT2015-87 |
本研究ではGaNショットキーバリアダイオードを用い、大電力のマイクロ波無線送電システムのための整流回路の開発を目的とする... [more] | WPT2015-87 pp.61-65 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]