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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化 ○野口宗隆・渡邊 寛（三菱電機）・喜多浩之（東大）・西川和康（三菱電機）  SDM2022-75 |
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] | SDM2022-75 pp.50-54 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2021-01-28 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 凹レンズ効果によるリバースモード液晶素子の散乱特性向上に関する研究 ○伊藤耀希・山口留美子（秋田大） EID2020-16 |
電圧オフ時に透過状態、電圧オン時に散乱状態を示すリバースモード液晶素子として働く散乱機構は、いくつか提案されている。その... [more] | EID2020-16 pp.5-8 |
| SDM | 2018-11-09 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大） SDM2018-71 |
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォ... [more] | SDM2018-71 pp.35-40 |
| SANE | 2017-11-23 13:00 |
海外 | マレーシア（ボルネオ島） | Polarimetric Parameter for Detection of Double-Bounce Scattering Dominated Areas ○Junjun Yin（Univ. Science and Technology Beijing）・Jian Yang（Tsinghua Univ.） SANE2017-64 |
Target backscatter of electromagnetic waves can be character... [more] | SANE2017-64 pp.7-12 |
| SDM | 2012-12-07 10:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 ○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2012-117 |
Si (Silicon) に比べ，放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は，次世... [more] | SDM2012-117 pp.13-18 |
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