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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2023-10-20
16:30
山形 山形大学(米沢市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
2MHz以下における強磁性箔帯の磁化特性の測定
植田紘司西方敦博東工大EMCJ2023-71 MW2023-125 EST2023-98
EMC部品や磁気遮蔽で広く用いられる強磁性体について,その磁気材料の数値シミュレーションモデルを実現するために,ヒステリ... [more] EMCJ2023-71 MW2023-125 EST2023-98
pp.188-193
MI, IE, SIP, BioX
(共催)
ITE-IST, ITE-ME
(共催)
(連催) [詳細]
2020-05-28
16:20
ONLINE オンライン開催 近赤外マルチスペクトル画像信号の適応的選択による酸素飽和度の測定
曽根健宏前田慶博東京理科大)・杉村大輔津田塾大)・浜本隆之東京理科大
本稿では,近赤外カメラを用いた可視光の照明変動に頑強な酸素飽和度の測定手法を提案する.提案手法は,近赤外画像信号を用いて... [more]
SDM 2019-11-08
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察
諏訪剛史早瀬茂昭東芝デバイス&ストレージSDM2019-78
IGBTのTCADキャリブレーションにおいて、特に飽和電流とターンオフ時のテール電流を同時に合わせ込む必要がある場合に何... [more] SDM2019-78
pp.49-54
OPE, OME
(共催)
2015-11-26
16:20
香川 サンポートホール高松 量子井戸を有する半導体ブラッグ反射器の光学非線形性とフォトニクス応用
小川憲介フジクラOME2015-69 OPE2015-135
超高速フォトニクスでは,光パルス圧縮などの超高速光信号制御の基礎となる光学非線形性の効率を向上することが求められている.... [more] OME2015-69 OPE2015-135
pp.25-30
EMM, ISEC, SITE, ICSS
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(併催)
(連催) [詳細]
2012-07-20
10:55
北海道 北海道工業大学 Hierocryptの新しい高階差分特性
高橋哲大金子敏信東京理科大ISEC2012-30 SITE2012-26 ICSS2012-32 EMM2012-22
Hierocryptは東芝によって提案されたSPN構造を持つ共通鍵ブロック暗号である。Hierocryptには64bit... [more] ISEC2012-30 SITE2012-26 ICSS2012-32 EMM2012-22
pp.151-158
IT, ISEC, WBS
(共催)
2012-03-01
15:45
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 HyRALの新たな飽和特性
芝山直喜金子敏信半谷精一郎東京理科大IT2011-54 ISEC2011-81 WBS2011-55
HyRALは2010年にローレルインテリジェントシステムズの平田によって提案された128bitブロック暗号である.これま... [more] IT2011-54 ISEC2011-81 WBS2011-55
pp.53-60
ISEC, SITE, ICSS, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(連催)
(連催) [詳細]
2011-07-13
10:55
静岡 静岡大学浜松キャンパス 共通鍵ブロック暗号HyRALの飽和攻撃耐性評価(II)
芝山直喜五十嵐保隆金子敏信半谷精一郎東京理科大ISEC2011-19 SITE2011-16 ICSS2011-24 EMM2011-18
本稿では,2010年に(株)ローレルインテリジェントシステムズの平田によって提案された共通鍵ブロック暗号HyRALに対す... [more] ISEC2011-19 SITE2011-16 ICSS2011-24 EMM2011-18
pp.103-109
OFT, OPE
(共催)
2011-03-04
14:20
東京 機械振興会館 半導体光増幅器の相互利得変調による多波長信号のNRZ-RZ変換
片渕友哉松浦基晴來住直人電通大OFT2010-71 OPE2010-175
本稿では半導体光増幅器の相互利得変調による多波長信号の一括NRZ-RZ符号変換の実証とその動作特性に関する検討を行う.一... [more] OFT2010-71 OPE2010-175
pp.41-45
MW, ED
(共催)
2007-01-17
10:10
東京 機械振興会館 速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路
石原 昇群馬大
MOS FETでは、ゲート電圧とドレイン電圧が高い場合にチャネルを走行するキャリアの速度が飽和し、FETの相互コンダクタ... [more] ED2006-201 MW2006-154
pp.7-12
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