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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:45
愛知 名古屋工業大学 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長
吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
pp.83-86
CPM 2017-10-04
13:50
東京 機械振興会館 r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果
シャーマ ロヒト保延賢人高橋祐貴永田知子岩田展幸山本 寛日大CPM2017-59
r面単結晶サファイア基板を用いてホットウォール化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor D... [more] CPM2017-59
pp.1-4
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
10:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
pp.5-9
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]体内埋め込みに向けた小型オンチップアンテナ
岡部謙志秋田一平石田 誠豊橋技科大ICD2013-104
様々な半導体センサデバイスの開発により,農地や建物などでセンサネットワークの構築,また医療分野で体内埋め込み型無線センサ... [more] ICD2013-104
p.13
MW 2012-10-19
09:00
栃木 宇都宮大学 サファイア円柱共振器を用いた銅張誘電体基板の比導電率測定
常光理志埼玉大)・小林禧夫サムテック)・馬 哲旺埼玉大MW2012-97
2誘電体共振器法や1誘電体共振器2モード法は表面比導電率rfの測定法としてよく知られている。最近、我々は... [more] MW2012-97
pp.93-98
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:05
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
永井秀一根来 昇福田健志河井康史上田哲三田中 毅大塚信之上田大助パナソニックSDM2012-79 ICD2012-47
ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] SDM2012-79 ICD2012-47
pp.89-92
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
10:30
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
宮川鈴衣奈楊 士波三宅秀人平松和政三重大)・桑原崇彰桑野範之光原昌寿九大ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97
高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-... [more] ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97
pp.5-10
MW 2011-10-21
09:50
東京 電気通信大学 サファイア基板の複素誘電率の面内異方性測定
和田山修平埼玉大)・小林禧夫サムテック)・馬 哲旺埼玉大MW2011-102
我々は、円筒空洞共振器のTE111モードを用いた、誘電体積層基板の複素比誘電率(比誘電率および誘電正接)の面内異方性の測... [more] MW2011-102
pp.89-94
ED 2010-12-17
10:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス
酒井啓之黒田正行根来 昇村田智洋永井秀一西嶋将明按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2010-167
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] ED2010-167
pp.53-58
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:25
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製
佐々木 斉後藤裕輝碓井 彰古河機械金属ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108
サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチm面サファイヤ基板上に、MOCVD法に... [more] ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108
pp.5-8
MW 2008-08-28
14:20
大阪 大阪大学(豊中) サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
村田智洋黒田正行松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・西嶋将明石田秀俊柳原 学上田哲三酒井啓之田中 毅松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] MW2008-85
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道 かでる2・7(札幌) AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
Tomohiro MurataMasayuki KurodaMatsushita Electric Industrial)・Shuichi NagaiPanasonic Boston Lab.)・Masaaki NishijimaHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaHiroyuki SakaiTsuyoshi TanakaMatsushita Electric Industrial)・Ming LiPanasonic Boston Lab.ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] ED2008-103 SDM2008-122
pp.331-335
ED, MW
(共催)
2008-01-16
16:15
東京 機械振興会館 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔上本康裕柳原 学石田秀俊松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・松尾尚慶松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.)・上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2007-213 MW2007-144
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] ED2007-213 MW2007-144
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
10:10
滋賀 立命館大学 ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ~ 無極性InNの検討 ~
熊谷裕也露口招弘寺木邦子荒木 努直井弘之名西やすし立命館大
我々はECR-MBE法 (ECRプラズマ分子線エピタキシー法) を用いて、R面(10-12) サファイア基板に窒化処理を... [more] ED2005-120 CPM2005-107 LQE2005-47
pp.9-12
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:35
東京 機械振興会館 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好実人名工大/日本ガイシ)・今西 敦石川博康江川孝志名工大)・浅井圭一郎柴田智彦田中光浩小田 修日本ガイシ
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] ED2004-217 MW2004-224
pp.31-35
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