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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-20
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希東芝)・安部恵子東芝R&D)・藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大
 [more] ICD2017-2
pp.5-9
ICD 2017-04-20
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM
土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynix
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] ICD2017-3
pp.11-16
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
SDM 2015-01-27
14:50
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM
池上一隆野口紘希鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一落合隆夫下村尚治板井翔吾才田大輔田中千加川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] SDM2014-142
pp.29-32
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-10-03
09:30
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発
才田大輔下村尚治北川英二鎌田親義矢ヶ部 恵大沢裕一藤田 忍伊藤順一東芝
東芝では,スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで,SRA... [more] MR2014-18
pp.27-31
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD 2014-04-18
09:30
東京 機械振興会館 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ
梅木洋平柳田晃司吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM(磁気抵抗変化型... [more] ICD2014-10
pp.47-51
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-01-29
15:15
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計
篠原寛行柳澤政生木村晋二早大
LSI の低消費電力化のために,モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない.
それと同時に,電源復帰後も動作の継続性を... [more]
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84
pp.167-172
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ
森 陽紀柳田晃司梅木洋平吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] ICD2013-110
p.27
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
ICD 2010-04-22
13:30
神奈川 湘南工大 [招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM
土田賢二稲場恒夫藤田勝之上田善寛清水孝文浅尾吉昭梶山 健岩山昌由池川純夫岸 達也甲斐 正天野 実下村尚治與田博明渡辺陽二東芝
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit... [more] ICD2010-7
pp.35-40
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